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ivyshii木虫 (初入文坛)
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利用PPMS测量半导体薄膜霍尔效应具体操作问题
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使用PPMS测量半导体薄膜的霍尔效应,因为第一次使用该设备,有很多问题需要达人们的帮助。 我自己尝试过一次,但是结果明显不对,把过程写下来大家看看哪里不对。使用的是交流电,4线法,设置磁场5000 Oe,电流10 mA,频率30 Hz,输入长度,样品截面半径后直接测量,得到的霍尔系数是3,而且几个不同样品的结果都很相似。我的样品是n型半导体,得到的霍尔系数和电阻率都应该是负值吧? 1. 对于PPMS,测量半导体薄膜的载流子浓度或迁移率,一般是用直流电还是交流电?(样品电阻率的数量级是10^-4 ohm·cm) 2. 如果用交流电,是4线法还是5线法? 3. 磁场一般加多大,电流又加多大? 4. 载流子浓度和霍尔迁移率是通过哪个公式算出来的?看书是N=1/(Rh*e), μ=1/(ρ*N*e). 可是这个算出的μ值好像不对呀,随便找个文献,把N和ρ值带入μ=1/(ρ*N*e)这个公式中算不出给出的μ值? |
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xuancao7628
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