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jamie82

木虫 (著名写手)

一三三

[求助] PVD与CVD方法沉积的SiO2、SiN膜层性能差异

请问谁知道PVD方法与CVD方法沉积的SiO2薄膜性质上有何差异?主要想知道致密性、耐腐蚀性、应力之间有何差异。
另还想问一下能使用PVD方法制备SiN薄膜吗?其性能又与CVD方法沉积的薄膜差异怎样?
请大侠不吝赐教
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心怀感恩,凡人与事都值得我感恩一番。
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swxby

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-01 18:58:55
PVD用的多,CVD你要用硅烷?其他不能一概而论,你要什么应用最好还是用氧化扩散炉吧,效果最好。PVD生长较慢,但是致密性还行。SiN应该没问题,BN,AlN都能做出来,你溅射的时候通氮气不就好了。
喵了个咪的~
2楼2012-11-05 20:12:38
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wu1008

金虫 (著名写手)

这种差异没有什么定论的东西,主要看参数的控制

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
3楼2012-12-01 16:18:32
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