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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
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371164404

金虫 (初入文坛)

[求助] 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结

我是做ZnO薄膜光电性能的在FTO导电玻璃上制备ZnO薄膜后，再在其上修饰一层n型半导体，我怎样证明它们之间形成了P—N异质结呢
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1楼2012-08-31 18:26:57
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ujn_cxd

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-02 09:05:26
模特肖特基曲线或者是I-V
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3楼2012-09-01 09:57:44
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ujn_cxd

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 371164404 at 2012-09-02 09:58:13
I-V曲线具体怎样看出形成了p-n结，还有肖特基曲线具体怎样看呢，请您说的详细一点好吗...

如果形成了P_N结你就会看到一个整流特性，
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371164404
6楼2012-09-02 10:11:25
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ujn_cxd

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by 371164404 at 2012-09-04 11:29:46
那请问一下要做出怎样的I-V曲线才能证明有整流特性，能给我张图看看吗？谢谢...

如果你连整流特性都不到的话那我没办法了
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14楼2012-09-04 19:50:34
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