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这个问题可能有点弱 就是p和n-type那个是光吸收层，还是二者都是光吸收层？ pn的上下顺序有什么说道么？ 谢谢！ |
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shizijun
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P，N区都可以作为吸光层。至于谁上谁下，这个其实的确差别。举个例子： 一般空穴迁移率小于电子，那么也就是说空穴的扩散长度低一些，那么某个位置的光生空穴是否有命到结区分离的几率是比电子来说小的。那么对于某些吸收系数较低的材料，典型如silicon，基本上要几百微米才能基本吸收禁带以上的光，那么吸收所产生的光生载流子是否能被结区电场所分离，取决于相应光生少子的寿命。那么对于silicon来说，一般电池肯定希望大部分区域是轻P型掺杂的，那么大部分的区域吸收的光子产生的光生电子才能最大限度的被抽取。也就是说，上面的一薄层应该是n型重掺杂的emitter。下面才是p型层。这里的考虑主要是来自于电子空穴的差别； 然而对于吸收系数好的三五族材料来说，吸收深度比较小，因此不存在上面说的要求。因此PN,NP原则上没有很大区别。不过实验上P上N下的配置取得了更高的效率 |
3楼2012-08-25 01:01:23
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常四爷
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