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雪崩光电探测器
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[交流]
雪崩光电探测器
大概知道一点pn雪崩击穿的原理,就是很高的反向偏压下,pn结区载流子的浓度较低,但动能可以被加速到很大,然后撞击价电子,产生几何级数倍增。
不太理解的是在光探测器中整个物理过程应该如何描述,那位能简单的说一下,谢谢!
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
taofei: 金币+3, 谢谢了,我大概就是不知道最初的电子怎么产生的
2012-08-21 10:28:46
你不是已经基本把APD的原理描述了一下了吗?可能需要补充的是最初的电子的来源吧?最初电子是光电子(因为半导体吸收了光子而激发的自由电子),光电子在很高的反向偏压下被电场加速,撞击半导体中的其他原子产生雪崩效应,产生几何级数载流子倍增。正是因为APD存在雪崩增益,所以它比低反偏的PIN的增益要高很多,但噪声也大(可能最初电子并不是光电子,而是热激发的电子,则它也被雪崩放大,产生噪声)。
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2楼
2012-08-20 23:35:04
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