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423445980木虫 (小有名气)
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[求助]
请详细解释一下缺陷态密度和缺陷态分布
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| 请详细解释一下缺陷态密度和缺陷态分布，今天看文献把我弄晕了！ |
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 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | 半导体物理方面 |
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8楼2013-09-30 10:40:26
2楼2012-08-11 00:19:38
3楼2012-08-11 23:12:10
SCU_magiclee
铁杆木虫 (正式写手)
硅材料研发人员
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【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
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不知道是不是自己的理解很肤浅。。我个人觉得还是挺清楚的啊。就抛砖引玉一下吧！ 1. 缺陷态密度：通俗的理解就是缺陷的数量多少，通常和材料性能有密切联系。以半导体晶体为例，缺陷态密度高，那么其载流子寿命就低，或者说载流子复合率高。如果用光谱来表征的话，晶体质量差的半导体，在其带间辐射之外，可能会伴有缺陷态的发光。晶体质量好的半导体，缺陷发光是较弱的。另外，缺陷态密度这个概念很多时候是可以量化的。举点例子：硅中的杂质原子，其单位N/ccm(每立方厘米有N个缺陷)，这些杂质其实就是些替位/间隙式点缺陷；再比如通过金相显微镜观察单位视场内的大角晶界、小角晶界、以及某些特定的缺陷数量，其单位一般用（每平方厘米/微米有N个缺陷）； 2. 缺陷态分布：同一种材料，具有相同的缺陷态密度。但其性能上可能会有较大的差异。为什么？可能缺陷态的类型、性质、及其分布不一样！举个例子：两块单晶硅，都含有N/ccm的铁杂质。一块退火，一块不退火。从宏观上来看，两者的铁杂质含量都没变。但是微观的局部区域，退了火的可能就是少量的间隙铁原子和一些铁沉淀、聚集体。没退火的，还全部都是铁原子。显然具体到到某些区域，其铁杂质缺陷态密度就不一样了。而且，从铁原子到铁沉淀、聚集体，铁的化学性质、电离状态等等都发生了变化，其复合活性也就变了。一句话，缺陷态分布常常伴随着缺陷分布不均匀的问题，如果分布是均匀的，那么处处都一样，这个概念也许就没有意义了。 |
4楼2012-08-11 23:41:31
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