24小时热门版块排行榜    

查看: 2973  |  回复: 23

weibaobao

木虫 (著名写手)

打酱油

引用回帖:
8楼: Originally posted by wu1008 at 2012-08-11 11:14:43
10的负8?
不可能吧!
AZO到10的负2是可能的。

你这段文字的出处是哪?

反正下面的制备方法我做到是出自一本书里面,上面就纳闷了,哪儿来的一些数据
邮箱weixiang_hong@163.com;qq:617237251
11楼2012-08-12 09:31:02
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

weibaobao

木虫 (著名写手)

打酱油

引用回帖:
9楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2012-08-11 20:52:27
掺杂的氧化物单晶导电性才能做到负5,没掺杂的怎么可能负8?负2是正常的

估计出帖子的人也没搞清楚,因为窗口层的高阻氧化锌薄膜是10^7次方,最低极限是5*10^4(ou.cm),而低阻的n-氧化锌或者AZO电阻率才小于4*10^-4,我对这个低阻高阻的 也很混乱,出自南开光电所的综述
邮箱weixiang_hong@163.com;qq:617237251
12楼2012-08-12 09:55:12
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

wu1008

金虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
10楼: Originally posted by weibaobao at 2012-08-12 09:29:15
出自小木虫里面的一个帖子http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1956347...

呵呵,这种间接引用的东西还是要小心点
13楼2012-08-12 10:30:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

seaxiaomuch

捐助贵宾 (正式写手)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-08-13 08:00:20
因为 ZnO 的 BANDGAP 3.3evV 所以只能吸收紫外领域的光 所以可是光大部分都投过去了
14楼2012-08-12 12:03:36
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

likennet

新虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
它可能说的是形成简并半导体,不是简单半导体.
15楼2012-08-12 20:47:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

muyangren

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
数量级,单位都有问题,金属银的电导率才10付八欧姆米
16楼2012-08-12 22:21:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

明月千里

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
应该是写错了,10的+8次方。
17楼2012-08-13 08:24:01
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

weibaobao

木虫 (著名写手)

打酱油

引用回帖:
17楼: Originally posted by 明月千里 at 2012-08-13 08:24:01
应该是写错了,10的+8次方。

这个可以有,呵呵
邮箱weixiang_hong@163.com;qq:617237251
18楼2012-08-13 16:12:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

bazhuayuyu

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
18楼: Originally posted by weibaobao at 2012-08-13 16:12:53
这个可以有,呵呵...

2 氧化锌薄膜的结构与性质
优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒,每个晶粒都是生长良好的六角形纤锌矿结构,晶格常数a=0.325nm,c=0.521nm。化学计量比ZnO为宽带隙半导体,禁带宽度约3.3eV,具有紫外截止特性,ZnO薄膜的电阻率高于10-8Ωcm。改变生长、掺杂或退火条件可形成简单半导体,导电性能大幅提高,电阻率可降低到10-2Ωcm数量级。ZnO薄膜在可见光范围内光透过率高达90%,可以用作优质的太阳电池透明电极,然而它在紫外(UV)和红外(IR)光谱范围内有强烈的吸收作用,这一性质被利用作为相应光谱区的阻挡层。ZnO还具有熔点高、制备简单、沉积温度低和较低的电子诱生缺陷等优点。硅基生长的ZnO有希望将光电子器件制作与传统的硅平面工艺相兼容。另外,在透明导电膜的研究方面,掺铝ZnO膜(AZO)也有同ITO膜可比拟的光学电学性质。
ZnO薄膜的高电阻率与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用作各种压电、压光、电声与声光器件。因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点,ZnO薄膜还可用来制作表面型气敏元件。通过掺入不同元素,可应用于还原性酸性气体、可燃性气体、CH族气体探测器、报警器。此外,它还在蓝光调制器、低损失率光波导、液晶显示、光催化、电子摄影机、热反射窗等领域具有潜在应用。

蓝色部分在一定前提下基本正确,红色部分问题很大
19楼2012-08-14 14:33:25
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

weibaobao

木虫 (著名写手)

打酱油

引用回帖:
19楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-08-14 14:33:25
2 氧化锌薄膜的结构与性质
优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒,每个晶粒都是生长良好的六角形纤锌矿结构,晶格常数a=0.325nm,c=0.521nm。化学计量比ZnO为宽带隙半导体,禁带宽度约3.3eV,具有紫外截止 ...

谢谢纠错
邮箱weixiang_hong@163.com;qq:617237251
20楼2012-08-14 19:45:56
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 weibaobao 的主题更新
普通表情 高级回复 (可上传附件)
信息提示
请填处理意见