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weibaobao木虫 (著名写手)
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氧化锌薄膜的结构与性质 已有14人参与
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2 氧化锌薄膜的结构与性质 优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒，每个晶粒都是生长良好的六角形纤锌矿结构，晶格常数a=0.325nm，c=0.521nm。化学计量比ZnO为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，具有紫外截止特性，ZnO薄膜的电阻率高于10-8Ωcm。改变生长、掺杂或退火条件可形成简单半导体，导电性能大幅提高，电阻率可降低到10-2Ωcm数量级。ZnO薄膜在可见光范围内光透过率高达90%，可以用作优质的太阳电池透明电极，然而它在紫外（UV）和红外（IR）光谱范围内有强烈的吸收作用，这一性质被利用作为相应光谱区的阻挡层。ZnO还具有熔点高、制备简单、沉积温度低和较低的电子诱生缺陷等优点。硅基生长的ZnO有希望将光电子器件制作与传统的硅平面工艺相兼容。另外，在透明导电膜的研究方面，掺铝ZnO膜（AZO）也有同ITO膜可比拟的光学电学性质。 ZnO薄膜的高电阻率与单一的Ｃ轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数，可用作各种压电、压光、电声与声光器件。因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点，ZnO薄膜还可用来制作表面型气敏元件。通过掺入不同元素，可应用于还原性酸性气体、可燃性气体、CH族气体探测器、报警器。此外，它还在蓝光调制器、低损失率光波导、液晶显示、光催化、电子摄影机、热反射窗等领域具有潜在应用。 红色部分是什么意思？10的负八到付二是电阻率降低了？ [ Last edited by weibaobao on 2012-8-10 at 16:26 ] |
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2 氧化锌薄膜的结构与性质 优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒，每个晶粒都是生长良好的六角形纤锌矿结构，晶格常数a=0.325nm，c=0.521nm。化学计量比ZnO为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，具有紫外截止特性，ZnO薄膜的电阻率高于10-8Ωcm。改变生长、掺杂或退火条件可形成简单半导体，导电性能大幅提高，电阻率可降低到10-2Ωcm数量级。ZnO薄膜在可见光范围内光透过率高达90%，可以用作优质的太阳电池透明电极，然而它在紫外（UV）和红外（IR）光谱范围内有强烈的吸收作用，这一性质被利用作为相应光谱区的阻挡层。ZnO还具有熔点高、制备简单、沉积温度低和较低的电子诱生缺陷等优点。硅基生长的ZnO有希望将光电子器件制作与传统的硅平面工艺相兼容。另外，在透明导电膜的研究方面，掺铝ZnO膜（AZO）也有同ITO膜可比拟的光学电学性质。 ZnO薄膜的高电阻率与单一的Ｃ轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数，可用作各种压电、压光、电声与声光器件。因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点，ZnO薄膜还可用来制作表面型气敏元件。通过掺入不同元素，可应用于还原性酸性气体、可燃性气体、CH族气体探测器、报警器。此外，它还在蓝光调制器、低损失率光波导、液晶显示、光催化、电子摄影机、热反射窗等领域具有潜在应用。 蓝色部分在一定前提下基本正确，红色部分问题很大 |
19楼2012-08-14 14:33:25
weibaobao
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