应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

Znn3bq.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 太阳能电池制造工艺中的etch back
71/1返回列表
查看: 2135  |  回复: 6
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

zhouzhehui

新虫 (小有名气)

[求助] 太阳能电池制造工艺中的etch back

The samples were exposed to a 30 Ω/□ diffusion and an etch-back to approx. 100 Ω/□.

For a selective FSF, the front surface hast to be masked
by inkjet- or screen-printing in the area that will be
contacted. The FSF is then etched back in an acidic
solution to the desired sheet resistance.

each back 是项神马技术
回复此楼

» 猜你喜欢
1楼 2012-07-19 09:54:40
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

105207759a

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-07-20 07:44:51
我以前是做TFT-LCD的，solar cells我没有做过。
但是我知道制程是一样的，但是solar cells的无尘室的等级没有LCD高。
在array段，主要分为TF，PH，以及ETCH，蚀刻分为干蚀刻以及湿蚀刻。
干蚀刻主要是用plasma轰击非金属薄膜，得到想要的形状。
湿蚀刻主要是用强酸腐蚀金属薄膜。
注意蚀刻完毕以后都要进行清洗。
另外TH是THIN FILM的意思
PH是PHOTO的意思，在一般的半导体书上面你都可以查到。
赞一下 回复此楼
小隐隐于野，大隐隐于市
2楼2012-07-19 10:06:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-07-20 07:45:28
个人理解是这样的：扩散后，硅片的杂质含量从表面往内部应该是递减分布的。也就是方块电阻是从表面往内部增加的。酸的刻蚀（etch）在减薄硅片的同时，也可以作为调控方阻的手段。Etch-Back应该是刻蚀电池片背面，不算什么技术，就是一个工艺步骤而已。
赞一下 回复此楼
是金子总会发光！！！
3楼2012-07-19 12:09:36
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhouzhehui

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-07-19 12:09:36
个人理解是这样的：扩散后，硅片的杂质含量从表面往内部应该是递减分布的。也就是方块电阻是从表面往内部增加的。酸的刻蚀（etch）在减薄硅片的同时，也可以作为调控方阻的手段。Etch-Back应该是刻蚀电池片背面，不 ...

但这里的Etch-Back 显然是刻蚀FRONT SIDE吧
赞一下 回复此楼
4楼2012-07-19 14:44:30
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhouzhehui

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 105207759a at 2012-07-19 10:06:34
我以前是做TFT-LCD的，solar cells我没有做过。
但是我知道制程是一样的，但是solar cells的无尘室的等级没有LCD高。
在array段，主要分为TF，PH，以及ETCH，蚀刻分为干蚀刻以及湿蚀刻。
干蚀刻主要是用plasma轰 ...

好的 灰常谢谢 虽然还是没明白
赞一下 回复此楼
5楼2012-07-19 14:46:11
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

你应该把文献贴出来啊。。我查了一下应该是这篇文献Large Area n-Type Silicon Solar Cells with Selective Front Surface Field and Screen Printed Aluminum-Alloyed Rear Emitter
大概看了一下，Each-back应该翻译为回刻蚀，做完掩膜之后再刻蚀一次（选择性刻蚀），形成选择性前表面场（selective FSF）。因为比传统工艺多一次刻蚀，所以应该翻译为回刻蚀。
赞一下(1人) 回复此楼

» 本帖已获得的红花（最新10朵）

zhouzhehui
是金子总会发光！！！
6楼2012-07-19 22:28:20
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhouzhehui

新虫 (小有名气)
送鲜花一朵
引用回帖:
6楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-07-19 22:28:20
你应该把文献贴出来啊。。我查了一下应该是这篇文献Large Area n-Type Silicon Solar Cells with Selective Front Surface Field and Screen Printed Aluminum-Alloyed Rear Emitter
大概看了一下，Each-back应该翻 ...

多谢您的建议 ··
赞一下 回复此楼
7楼2012-07-20 16:06:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 zhouzhehui 的主题更新
71/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭