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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 界面的建模和几种堆垛的方式
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wife332020

铁虫 (小有名气)

[交流] 界面的建模和几种堆垛的方式

在文献中看到界面的堆垛方式大概是有两种：“OT”型堆垛（使界面的Mg原子直接堆垛在Al4C3表面的C原子正上方）“HCP”堆垛（界面的Mg原子直接堆垛在Al4C3表面第二层原子的正上方）
但是本人在构建过程中不知道怎么样去调整界面上下的原子以实现两种堆垛？本人尝试了求得原子间的相对坐标后整体移动但是得到的结果与文献图相差很远（界面构建好之后加入真空层，移动的很多原子都跑到了晶格的外面）感觉方法不对，还请高手指点，谢谢！！！界面两边的切面如下图所示：

黑色原子为C,红色的为Al原子（Al4C3的（0001）切面）



为Mg的（0002）切面
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1楼 2012-07-17 19:43:34
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913824

新虫 (初入文坛)
★
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你好，我想问你那个Al4C3的slab层是怎么定义的，怎么样算一层？是在MS里面建的么？谢谢哦
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5楼2012-12-13 17:04:59
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wife332020

铁虫 (小有名气)
文献中的界面建好之后如图：

5层-11层-C终止的OT界面模型



5层-11层-C终止的HCP界面模型
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2楼2012-07-17 19:56:04
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火柴天堂7909

金虫 (小有名气)
★ ★
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sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-18 09:39:51
你说的"界面构建好之后加入真空层，移动的很多原子都跑到了晶格的外面"大概是因为对称性引起的吧，应该不影响的，只是显示方式，调整成in cell应该就好啦
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3楼2012-07-18 09:36:22
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X.Wang

金虫 (小有名气)
★ ★
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sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-19 22:54:38
如果你尝试先建立Al4C3表面，建立一个
“厚度=真空层厚度+需要的镁的厚度” 的真空层
再在里面按照需要的多措方式加上Mg原子
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4楼2012-07-19 11:37:06
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