2楼: Originally posted by wu1008 at 2012-07-11 22:45:59
我有两个东西性不明白

第一，你已经发过一个同样东西的帖子，为什么要再发一个？
第二，任何的分析都是基于对比组间的差异进行的，你既然不愿意（我不知道你是不是真的不愿意，因为你在另一个帖子上也没有给出相 ...

3楼: Originally posted by lolita888 at 2012-07-14 23:27:21
首先，谢谢你。
1。原来的帖子有同学说看不清图，也有说看不到图了，所以才重新发。
2.样品组之间没有差异，方法都是一样的，只是我在文题中说过不均匀。原先的帖子没有注明。
3.缺陷发光不应该会比主峰能量要高 ...

4楼: Originally posted by wu1008 at 2012-07-15 10:42:28
缺陷发光不应该会比主峰能量要高吗？
不知道你的主峰是什么意思

晶粒内的缺陷和晶界间的缺陷导致的现象是否是完全不同的？
不同缺陷的发光行为肯定是不一样的...

6楼: Originally posted by 牛马走再拜言 at 2012-07-16 01:46:03
一般电子空穴复合的能量都会比缺陷的能量高（但是强度则不一定强）。
从上面三幅图看，强度相差太大，样品不均匀应该不会导致这么大的差异，可能是光路没调好，或者样品没摆正。
一般PL谱和被测物的量没有太大关系 ...

5楼: Originally posted by lolita888 at 2012-07-15 23:07:05
主峰我的意思是最大发光峰。
不知道晶界间的缺陷导致发光是否会比主峰对应的能量更低?
(我觉得晶粒内的缺陷是会比主峰对应的能量要高的)
刚才那个帖子里面，你问我吸收值的图片能不能放一下，对不起啊，现在在外 ...

8楼: Originally posted by wu1008 at 2012-07-16 10:15:45
我不知道你为什么觉得粒内的缺陷是会比主峰对应的能量要高？
纯属瞎猜吧？

另外，我也不认为i却显的发光一定比激子复合的发光弱
看ZnO就知道了...