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射频溅射ZnO/Si异质结太阳能电池的问题
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我做的是射频溅射（也可以直流或磁控直流溅射）ZnO/p-Si异质结太阳能电池，但效率一直很低，开路电压就30多mV（光电化学谱仪中这少于100无法继续测下去），短路电流几十μA，惨不忍睹~~~ 我用的靶材是ZnO掺3%的Al2O3的靶，基片是p型的<100>单面抛光硅片，在抛光面上溅射，背电极是在Si的非抛光面直流溅射Al，面电极是用银浆涂成栅极形状再200℃退火。 有没有大神来帮帮忙，求助到底其最重要的因素是什么？衬底温度？退火温度？膜厚？还是其他什么？或者有没有大神给个建议改些什么？ |
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codesertea
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