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射频溅射ZnO/Si异质结太阳能电池的问题
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我做的是射频溅射(也可以直流或磁控直流溅射)ZnO/p-Si异质结太阳能电池,但效率一直很低,开路电压就30多mV(光电化学谱仪中这少于100无法继续测下去),短路电流几十μA,惨不忍睹~~~ 我用的靶材是ZnO掺3%的Al2O3的靶,基片是p型的<100>单面抛光硅片,在抛光面上溅射,背电极是在Si的非抛光面直流溅射Al,面电极是用银浆涂成栅极形状再200℃退火。 有没有大神来帮帮忙,求助到底其最重要的因素是什么?衬底温度?退火温度?膜厚?还是其他什么?或者有没有大神给个建议改些什么? |
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codesertea
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