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用CHI660C如何实现脉冲电沉积?
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用CHI660C如何实现脉冲电沉积?
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大家好,这个题目我在论坛里搜索过,有相似的问题,但是回答的答案我不是很清楚,还是想仔细问下。
我用CHI660C实现过直流电沉积,用的实验技术是 时间-电流曲线,但是这个方案做出来的样品不是很理想,看文献,他们说用脉冲电沉积技术比较合适。
但是我没做过脉冲电沉积。
于是想问下,怎么用CHI660C实现脉冲电沉积呢,里面有很多种方法,不知道选哪种。有什么需要注意的?
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2012-07-03 20:26:34
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可以用Chronoamperometry(CA)法,或者Chronocoulometry(CC)法都行,设定高压低压和脉冲宽度
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2楼
2012-08-28 21:04:32
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看LZ采用的是控制电位的脉冲电沉积吧?
楼上说的CC和CA固然好,但是我记得脉冲长度和次数都比较有限(我记得只有上限只有320个脉冲),如果需要的时间更长就可能不太合适。
CHI660C中还有多电位阶跃法(Multipotential steps),可以设置在两个不同的电位进行阶跃,阶跃时间也可以设定,循环上限是10000次。楼主也可以尝试一下。
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2012-08-28 21:19:02
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