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xingyexue铁杆木虫 (正式写手)
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[求助]
新手求教！ 在VASP中 怎样加入电子或空穴 并固定电子或空穴的位置呢？
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新人求教~~ 请各位前辈们不吝赐教 请问要如何在VASP中 加入电子或空穴 并固定电子或空穴的位置呢？ 看了一篇Gerbrand Ceder工作组的文章 计算LiMnPO4的polaron migration barriers “ A hole(electron) polaron was formed on one of the transition metal ions by removing(adding) an electron to the fully relaxed LiMPO4 (MPO4) supercell. Overall charge neutrality was preserved via a compensating background charge. If {qi} and {qf} denote the initial and final ion positions, respectively, the migration of the polaron can then be described by the transfer of the lattice distortion over a one-dimensional Born-Oppenheimer surface, with an energy maximum at a configuration between {qi} and {qf}.” 如何固定电子或空穴在两个Mn之间传输时的位置呢？ 而补偿电荷又如何设置呢？ ps：我看到有人说设置电荷NELECT这个参数，但是这个是总的电荷数吧，要怎么固定电荷的位置呢？ [ Last edited by xingyexue on 2012-6-25 at 15:31 ] |
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金虫 (正式写手)
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