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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 表征 » 在催化剂表面进行改性修饰，怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成
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shijunjun

铜虫 (小有名气)

[求助] 在催化剂表面进行改性修饰，怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成

求助高手指导，我在催化剂载体表面进行修饰，怎么确定在催化剂表面有Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的存在，XPS行不？
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努力~！
1楼 2012-05-29 21:27:33
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rensu

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

没错。 所以我说xps的检测下限大概在0.1-1 at%. 但xps的强项是surface sensitive。
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12楼2012-05-31 19:34:10
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747088803

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shijunjun: 金币+5, 谢谢你的回答 2012-05-30 19:32:01
你查查红外数据吧，我知道分子筛的Si-O-T键是在960cm-1附近要出峰的
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shijunjun
2楼2012-05-30 07:30:41
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jnyinfeng

铁虫 (初入文坛)
这个我也不懂，只好帮你顶顶。希望知道的人给你帮助
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我们是都是好朋友
3楼2012-05-30 10:23:46
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qm13426292146

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shijunjun: 金币+10, ★有帮助, 谢谢详细解答 2012-05-30 19:31:27
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图，修饰之后再做一个，对比修饰之后红外谱图的差异，重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率，若峰位置发生改变，则证明有离子进入Si-O-Si结构而使其破坏。具体来说，Mg的原子质量小于Si，因此若形成Mg-O-Si结构会导致1100 cm-1左右的振动峰向高波数方向移动。
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4楼2012-05-30 11:42:47
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