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caoqigao

金虫 (正式写手)


[交流] 【求助】如何测量半导体带隙?(送金币三个)

请问有谁知道如何测量半导体的带隙呀?具体实验方案是什么?
给有效回答问题的虫子送三个金币,请斑竹代为转帐!谢谢!
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wolflwc

木虫 (正式写手)

如果是薄膜的话,可以通过测透射吸收谱,然后通过曲线算出来,你可以查一下有关非晶半导体的书,上面有,记得不是太清了。
我爱小木虫!!!
2楼2007-04-16 17:23:10
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caoqigao

金虫 (正式写手)


是粉体的。不知道次类书哪里有啊
3楼2007-04-16 21:16:46
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zjx121610

木虫 (文坛精英)

做个会思考的虫子!

这个需要学习学习!
学海无涯,回头是岸!分析版欢迎大家来做客!
4楼2007-04-16 21:30:54
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hahaha0602

铜虫 (小有名气)

可以由 photoluminscence或 UV-Vis absorption spectra 推得
5楼2007-04-16 21:31:29
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caoqigao

金虫 (正式写手)


5楼的可以说清楚一点吗?
6楼2007-04-17 08:34:26
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)

如果材料是半透明的薄膜,可用UV-VIS分光光度计测量吸光率,边带吸收所对应的波长(wavelength onset)即:吸收峰线性部分的延长线与横轴波长的交点。禁带宽度Eg=1240/wavelength onset,单位为eV;

如果材料是粉体的,可用UV-VIS分光光度计测量其漫反射散射光谱的透光率,确定了边带吸收对应的波长,代入上式也可得到禁带宽度:)
Touch me with your smile:)
7楼2007-04-17 08:52:11
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)

还有一种电化学的测量方法,可以向测量该半导体材料的光电流,
得到光生电子的转换效率(IPCE%)~ wavelength的谱图;
IPCE%用η表示,再绘制出(ηhν)的平方根 ~ 光能的谱图,
单位分别为eV的平方根和eV,
谱图的线性部分延长线与光能横坐标的交点,即对应的半导体禁带宽度。
这种方法比较麻烦,而且是作为估算或验证禁带宽度的方法
Touch me with your smile:)
8楼2007-04-17 09:20:12
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roclie

银虫 (初入文坛)

是粉体最好用漫反射谱,我们这边的一般都这么测
9楼2007-04-17 09:48:06
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caoqigao

金虫 (正式写手)


7-9楼的,怎么样把金币送给你们呀?你们回答的都很好。紫外吸收可以测得的禁带宽度的范围是多少?如果是带隙小于1eV的半导体是不是应该用红外吸收测啊?
10楼2007-04-18 22:11:41
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