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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 材料测试 » 【求助】如何测量半导体带隙？（送金币三个）
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caoqigao

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】如何测量半导体带隙？（送金币三个）

请问有谁知道如何测量半导体的带隙呀？具体实验方案是什么？
给有效回答问题的虫子送三个金币，请斑竹代为转帐！谢谢！
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1楼 2007-04-16 17:11:33
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wolflwc

木虫 (正式写手)
如果是薄膜的话，可以通过测透射吸收谱，然后通过曲线算出来，你可以查一下有关非晶半导体的书，上面有，记得不是太清了。
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我爱小木虫!!!
2楼2007-04-16 17:23:10
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caoqigao

金虫 (正式写手)
是粉体的。不知道次类书哪里有啊
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3楼2007-04-16 21:16:46
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zjx121610

木虫 (文坛精英)

做个会思考的虫子！
这个需要学习学习！
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学海无涯，回头是岸！分析版欢迎大家来做客！
4楼2007-04-16 21:30:54
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hahaha0602

铜虫 (小有名气)
可以由 photoluminscence或 UV-Vis absorption spectra 推得
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5楼2007-04-16 21:31:29
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caoqigao

金虫 (正式写手)
5楼的可以说清楚一点吗？
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6楼2007-04-17 08:34:26
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)
如果材料是半透明的薄膜，可用UV-VIS分光光度计测量吸光率，边带吸收所对应的波长（wavelength onset）即：吸收峰线性部分的延长线与横轴波长的交点。禁带宽度Eg=1240/wavelength onset，单位为eV；

如果材料是粉体的，可用UV-VIS分光光度计测量其漫反射散射光谱的透光率，确定了边带吸收对应的波长，代入上式也可得到禁带宽度：)
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Touch me with your smile:)
7楼2007-04-17 08:52:11
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)
还有一种电化学的测量方法，可以向测量该半导体材料的光电流，
得到光生电子的转换效率（IPCE%）~ wavelength的谱图；
IPCE%用η表示，再绘制出（ηhν）的平方根 ~ 光能的谱图，
单位分别为eV的平方根和eV，
谱图的线性部分延长线与光能横坐标的交点，即对应的半导体禁带宽度。
这种方法比较麻烦，而且是作为估算或验证禁带宽度的方法
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Touch me with your smile:)
8楼2007-04-17 09:20:12
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roclie

银虫 (初入文坛)
是粉体最好用漫反射谱，我们这边的一般都这么测
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9楼2007-04-17 09:48:06
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caoqigao

金虫 (正式写手)
7-9楼的，怎么样把金币送给你们呀？你们回答的都很好。紫外吸收可以测得的禁带宽度的范围是多少？如果是带隙小于1eV的半导体是不是应该用红外吸收测啊？
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10楼2007-04-18 22:11:41
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