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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 材料测试 » 【求助】如何测量半导体带隙？（送金币三个）
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caoqigao

金虫 (正式写手)
最好是斑竹帮我把金币转给你们吧！每人三个，呵呵
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11楼2007-04-18 22:12:13
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)
可爱的caoqigao同志，半导体的定义中规定其禁带宽度一般要大于2.5eV才称为半导体，即1240/500nm=2.5eV。
从机理上说：半导体材料在大于500nm波长的可见光照射下，价带电子无法跃迁到导带上导电，而在小于500nm的紫外光照射下，价带电子可以激发跃迁到导带上导电。

禁带宽度为1eV的材料不能称之为半导体，禁带宽度为1eV，你是不是在测试或计算时出错了啊？
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Touch me with your smile:)
12楼2007-04-19 11:03:39
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lyoffice2081

铁虫 (小有名气)
UV-VIS（紫外-可见分光光度计）可扫描的波长范围为200nm-800nm，可测得的禁带宽度约为2eV-6eV吧！
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Touch me with your smile:)
13楼2007-04-19 11:09:57
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caoqigao

金虫 (正式写手)
那如果带隙小于1eV又不是金属的材料应该称为什么呢？我目前做的就是要寻找窄带隙的半导体哦
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14楼2007-04-19 20:06:48
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goldtruth

银虫 (小有名气)
Si band gap is about 1.4eV. It is semiconductor.
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＝＝－
15楼2007-04-20 04:08:12
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vipuser

银虫 (小有名气)
纠正我发帖的一个错误，半导体的界定是相对于金属和电介质的电导率而定的。
电导率在10E4~10E-10 欧米伽每厘米
金属的价带和导带是连续或者重叠的，半充满的电子可以在导带移动而导电；
而半导体的价带和导带之间不连续，出现了禁带，价带电子需获得能量跃迁到导带才能导电；所以禁带宽度Eg需有一个范围，一般在0~3.0eV之间，禁带宽度过大就是绝缘体了。
你的非金属粉末，禁带宽度Eg约为1eV应该属于窄带隙的半导体：）
不知电化学方法能不能用来测试你的样品。
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16楼2007-04-20 11:23:04
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vipuser

银虫 (小有名气)
天啊，我用别人的用户名发了贴，呵呵，我是lyoffice2081
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17楼2007-04-20 11:29:02
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