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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 关于CVD石墨烯
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a2923534327955

银虫 (小有名气)

[求助] 关于CVD石墨烯

想问以铜箔为基体CVD制备石墨烯，都说铜箔诱导才能长出石墨烯，究竟是怎么诱导的，为什么以石墨，碳纤维，或者陶瓷为基体长出的都是热解碳。为什么铜表面长出得是石墨烯？，，求教谢谢QQ292353432
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1楼2012-05-07 22:50:22
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a2923534327955

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wulishi8 at 2012-05-07 23:09:54:
貌似是因为铜的碳的溶解度低导致的。这也是当年想用铜制备碳纳米管而失败的原因。

铜表面也是吸附形核生长，在石墨表面也是吸附形核生长，为什么铜能成石墨烯？如果将气体浓度提到很高，会不会在铜表面也长成热解碳？谢谢
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3楼2012-05-08 14:18:10
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a2923534327955

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by wulishi8 at 2012-05-08 14:31:01:
应该是。所以生长的时候，低压更好，且碳源比例较低。要是生长纳米金刚石，碳源只占千分之几

你有QQ没，想问下碳源的浓度是怎么控制的，一般单位不是PPM吗，各路气体的流量是知道的。我以前做热解碳的，石墨烯不太懂
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5楼2012-05-08 14:55:37
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a2923534327955

银虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by wulishi8 at 2012-05-08 16:05:15:
控制输入碳源的那路气体的流量不就能控制碳源的浓度了吗？流速单位一般sccm，ppm是浓度单位，所以我一般用sccm。

就是利用稀释气体和碳源气体的不同sccm来算ppm的吧？你觉得CVD长单层和多层的关键在什么，个人觉得好像是形核率和生长率的一种平衡关系，类似于金属的凝固形核理论，你觉得呢
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7楼2012-05-08 21:36:23
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a2923534327955

银虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by wulishi8 at 2012-05-08 22:50:26:
电压的情况下，很难得到具体的浓度，只能得到各种气体的比值，而不是具体的浓度，所以有时候用到ppm，也是通入的时候的浓度。长单层的关键就是用合适的催化剂，控制碳源在很低的浓度，低压比较好。至于具体的原理 ...

您能否留个邮箱或别的联系方式吗，向您多多请教
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9楼2012-05-11 15:54:57
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