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(文献学习)一篇计算HfO2表面 结构与原子性质的文章
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huangll99: 回帖置顶 2012-05-01 09:55:33
3楼2012-04-30 21:14:26
huangll99: 回帖置顶 2012-05-01 10:31:30
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7.接下来算bulk 的表面布里渊区投影能带结构,疑问是:处理ENGEIVAL是个大问题 初步计划,建五个目录,做五个KPOINTS,稍显笨拙,但我没有办法啊 ![]() K1----- kpoints 20 Line-mode rec 0 0 0 0 0.5 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0 0 0 0 K2---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.125 0 0.5 0.125 0 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0 0 0.125 K3---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.25 0 0.5 0.25 0 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0 0 0.25 K4---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.375 0 0.5 0.375 0 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0 0 0.375 K5--- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0 0 0.5 |
8楼2012-05-01 10:30:47
9楼2012-05-01 11:53:29
4楼2012-05-01 01:47:02
5楼2012-05-01 09:25:56
6楼2012-05-01 10:00:52
7楼2012-05-01 10:01:22
10楼2012-05-01 22:04:18
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fzx2008: 金币+3, 谢谢分享 2012-06-12 18:29:04
fzx2008: 金币+3, 谢谢分享 2012-06-12 18:29:04
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文章立意:在实际的CMOS器件中HfO2是多晶的,这些晶粒会形成很多的boundary,研究HfO2的表面电子结构,有助于理解这些boundary会对器件引起那些影响。例如,如果最稳定的HfO2表面是导电的,有一定的金属性,会引起很大的门极漏电电流。 文章的主体部分: 1.研究各个表面的表面能,通过对比,分析出能量上最favourable 表面。结论是(111)-O and(110) 最稳定。 2.详细讨论了这两个表面的弛豫,从Hf-O键的离子特性对弛豫的细节进行了解释 3.研究了这些表面的电子结构,分析了它们是导电的还是绝缘的。 解决的问题:HfO2最稳定的表面是(111)-O and(110)面,这两个面是绝缘的,排除了HfO2晶粒boundary引起很大门极漏电电流的可能性。 |
11楼2012-05-02 09:17:43
12楼2012-05-02 09:22:52
13楼2012-05-02 09:23:49
14楼2012-05-02 18:02:50
15楼2012-06-12 16:35:14
16楼2012-06-12 16:39:23
17楼2012-06-12 19:53:33
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xueht987: 金币+1, 谢谢回帖,鼓励交流! 2012-06-12 20:19:45
xueht987: 金币+1, 谢谢回帖,鼓励交流! 2012-06-12 20:19:45
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你可以看一下这个帖子,博主好像有好的办法,但我不知道该怎么处理EIGENVAL,问博主没有搭理我 http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f15ead20100haqk.html |
18楼2012-06-12 20:04:23
19楼2012-06-13 09:36:51
20楼2012-06-13 10:09:17
21楼2012-06-13 21:30:04
22楼2012-06-26 20:27:38
strive123123
禁虫 (文坛精英)
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
xueht987: 金币-1 2012-06-27 14:44:10
xueht987: 金币-1 2012-06-27 14:44:10
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本帖内容被屏蔽 |
23楼2012-06-26 20:52:23
24楼2012-07-14 10:13:20
25楼2012-11-06 10:58:26
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2012-04-30 18:24
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