| 查看: 4664 | 回复: 26 | |||||
[交流]
(文献学习)一篇计算HfO2表面 结构与原子性质的文章
|
|||||
精华网帖收集 | VASP算例 | 计算-vasp |
» 本帖已获得的红花(最新10朵)
» 猜你喜欢
0817 化学工程 299分求调剂 有科研经历 有二区文章
已经有17人回复
一志愿武汉理工材料工程专硕调剂
已经有5人回复
0856调剂,是学校就去
已经有7人回复
申博26年
已经有3人回复
一志愿吉林大学材料学硕321求调剂
已经有10人回复
0703化学调剂 ,六级已过,有科研经历
已经有12人回复
294求调剂材料与化工专硕
已经有13人回复
288求调剂
已经有14人回复
307求调剂
已经有8人回复
一志愿南京理工大学085701资源与环境302分求调剂
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
vasp中怎样可视化原子轨道
已经有24人回复
vasp计算界面结构时原子弛豫的问题
已经有12人回复
如何处理在体结构中掺杂小原子(如B,N,C等)并做结构弛豫?
已经有39人回复
两个表面之间作用能或原子吸附能的计算疑惑
已经有9人回复
求助以下原子(分子)最稳定晶体结构的空间群
已经有4人回复
新手,请高手帮忙,计算小分子中某个碳原子上的电子云密度
已经有15人回复
【求助】多原子结构supercell的k点选择
已经有3人回复
【求助】为什么纳米粒子较小时,增加了表面原子的无序度和表面缺陷?
已经有11人回复
【求助】Ms计算磁性要不要设置每个原子的磁矩??
已经有10人回复
【求助】请问各位虫友,从哪可以查物质晶体结构及原子间距啊
已经有5人回复
【求助】castep结构优化与性质计算
已经有5人回复
【求助】计算表面能要不要固定中间的原子
已经有12人回复
» 抢金币啦!回帖就可以得到:
持续创业者,A8离异男征婚,事业遇到瓶颈,寻找创业生活伴侣
+1/470
春天就该逛吃逛吃
+1/87
湘潭大学化工学院国家级人才团队2026年博士研究生招生
+1/64
飘在美国,有点想家
+1/53
青岛高校 研究生招生
+1/50
研究生 调剂 看过来- 机械、控制工程、力学类(流体力学、一般力学等) 211 双一流
+1/37
华南师范大学(211)博士招生- 电子、自动化、机械、生物学、物理相关专业
+2/34
西南某211招27届博士
+1/19
北京航空航天大学招生微流控与智能打印技术方向博士研究生
+2/16
【2026博士招生/博后招聘】北京航空航天大学潘彪课题组——AI芯片设计方向
+1/11
河南大学龚和贵教授2026年博士研究生招生
+1/7
26年申博自荐-计算机视觉
+1/6
中科院上海微系统所材料生长理论与仿真课题组-博士后招聘(材料计算与AI4S)
+1/4
武汉纺织大学杰青团队招研究生(材料,化学,高分子,化工)
+1/4
双一流天津工业大学电信学院李鸿强教授招收2026年申请审核制博士3名
+1/3
博后即将出站,求稳定的教职
+1/3
军科某研究院接收调剂研究生
+1/3
福建师范大学海峡柔性电子学院招收2026调剂硕士
+1/1
北京高校副校长团队招收机械类,环境类学硕和专硕
+1/1
三峡大学 招收力学专业调剂生 要求过国家线 土木/水利/材料均可报
+1/1
huangll99: 回帖置顶 2012-05-01 09:55:33
3楼2012-04-30 21:14:26
huangll99: 回帖置顶 2012-05-01 10:31:30
|
7.接下来算bulk 的表面布里渊区投影能带结构,疑问是:处理ENGEIVAL是个大问题 初步计划,建五个目录,做五个KPOINTS,稍显笨拙,但我没有办法啊 ![]() K1----- kpoints 20 Line-mode rec 0 0 0 0 0.5 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0 0 0 0 K2---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.125 0 0.5 0.125 0 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0.5 0.5 0.125 0 0 0.125 K3---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.25 0 0.5 0.25 0 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0.5 0.5 0.25 0 0 0.25 K4---- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.375 0 0.5 0.375 0 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0.5 0.5 0.375 0 0 0.375 K5--- KPOINTS 20 Line-mode rec 0 0 0.5 0 0.5 0.5 0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0 0 0.5 |
8楼2012-05-01 10:30:47
9楼2012-05-01 11:53:29
4楼2012-05-01 01:47:02
5楼2012-05-01 09:25:56
6楼2012-05-01 10:00:52
7楼2012-05-01 10:01:22
10楼2012-05-01 22:04:18
★ ★ ★
fzx2008: 金币+3, 谢谢分享 2012-06-12 18:29:04
fzx2008: 金币+3, 谢谢分享 2012-06-12 18:29:04
|
文章立意:在实际的CMOS器件中HfO2是多晶的,这些晶粒会形成很多的boundary,研究HfO2的表面电子结构,有助于理解这些boundary会对器件引起那些影响。例如,如果最稳定的HfO2表面是导电的,有一定的金属性,会引起很大的门极漏电电流。 文章的主体部分: 1.研究各个表面的表面能,通过对比,分析出能量上最favourable 表面。结论是(111)-O and(110) 最稳定。 2.详细讨论了这两个表面的弛豫,从Hf-O键的离子特性对弛豫的细节进行了解释 3.研究了这些表面的电子结构,分析了它们是导电的还是绝缘的。 解决的问题:HfO2最稳定的表面是(111)-O and(110)面,这两个面是绝缘的,排除了HfO2晶粒boundary引起很大门极漏电电流的可能性。 |
11楼2012-05-02 09:17:43
12楼2012-05-02 09:22:52
13楼2012-05-02 09:23:49
14楼2012-05-02 18:02:50
15楼2012-06-12 16:35:14
16楼2012-06-12 16:39:23
17楼2012-06-12 19:53:33
★
xueht987: 金币+1, 谢谢回帖,鼓励交流! 2012-06-12 20:19:45
xueht987: 金币+1, 谢谢回帖,鼓励交流! 2012-06-12 20:19:45
|
你可以看一下这个帖子,博主好像有好的办法,但我不知道该怎么处理EIGENVAL,问博主没有搭理我 http://blog.sina.com.cn/s/blog_5f15ead20100haqk.html |
18楼2012-06-12 20:04:23
19楼2012-06-13 09:36:51
20楼2012-06-13 10:09:17
21楼2012-06-13 21:30:04
22楼2012-06-26 20:27:38
strive123123
禁虫 (文坛精英)
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
xueht987: 金币-1 2012-06-27 14:44:10
xueht987: 金币-1 2012-06-27 14:44:10
|
本帖内容被屏蔽 |
23楼2012-06-26 20:52:23
24楼2012-07-14 10:13:20
25楼2012-11-06 10:58:26
26楼2012-11-22 14:10:13
27楼2012-12-24 11:01:17
简单回复
2012-04-30 18:24
回复

















)
回复此楼
legodgz


1CPP6%40H.jpg&width=541&height=625&rotate=0&keyfrom=)

楼主继续
