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合金元素对层错能的影响
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| 添加稀土元素如何影响镁合金的层错能。如在A中分别添加B和C两种元素。如何判断B和C对层错能的影响程度，与什么因素有关，如原子半径，价电子数等。最好有相关文献支持！ |
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 百宝箱收集 | 金属 层错能 |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
qlf_126: 金币+2, 感谢参与！ 2012-05-02 08:39:39
qlf_126: 回帖置顶 2012-05-02 08:39:45
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
qlf_126: 金币+2, 感谢参与！ 2012-05-02 08:39:39
qlf_126: 回帖置顶 2012-05-02 08:39:45
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文献很多 R. W. Atree; T. S. Plaskett, The self-energy and interaction energy of stacking fault in metals, Phil Mag. 1956, 1, 885-911 L. Delehouzee; A. Deruyttere, The stack fault density in solid solutions based on copper, silver, nickel, aluminium and lead, Acta Metall, 1967, 15, 727-734 [40] M. J. Whelan; P. B. Hirsch; R. W. Horne et al. Dislocations and stacking faults in stainless steel, Proc. R. SOC. Lond. 1957, 240, 524-538 L. M. Brown, The self stress of dislocations and the shape of extended nodes, Phil. Mag. 1964, 10, 441-446 黄孝瑛, 电子显微镜图像分析原理与应用, 宇航出版社, 1989 万见峰, Fe-Mn-Si-Cr-N形状记忆合金的马氏体相变, 上海交通大学博士学位论文, 2001 K. Ishida, Direct estimation of stacking fault energy by thermodynamic analysis, Phys Status Solidi, 1976, 36, 717-728 Y. N. Petrov; I. A. Yakubtsov, Thermodynamic calculation of stacking fault energy for multicomponent alloys with F.C.C. lattice based on iron, Phys Met Metallogr, 1986, 62(2), 34-38 Li L; Xu Z Y( T. Y. Hsu), Gibbs free energy evaluation of the FCC and HCP phases in Fe-Mn-Si alloys, CALPHAD, 1997, 21, 443-448 M. S. Daw; M. I. Baskes, Embedded-atom method : derivation to impurities , surfaces , and other defects in metals, Phys Rev Lett, 1984, 29, 6443-6453 何刚; 戎咏华; 徐祖耀, fcc结构晶体层错的自身能及其交互作用能的嵌入原子法计算, 中国科学(E), 2000, 30(1), 1-8 Li J. C; Zheng W; Jiang Q, Stacking fault energy of iron-base shape memory alloys, Mater. Lett., 1999, 38, 275-277 |
7楼2012-05-02 08:04:37
2楼2012-04-30 20:44:21
3楼2012-04-30 20:47:31
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
毛猴: 金币+3, 感谢交流！ 2012-05-01 10:30:25
毛猴: 回帖置顶 2012-05-01 10:34:34
lbjcqu: 金币+3, 能提供一下相关文献吗？ 2012-05-01 11:13:51
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
毛猴: 金币+3, 感谢交流！ 2012-05-01 10:30:25
毛猴: 回帖置顶 2012-05-01 10:34:34
lbjcqu: 金币+3, 能提供一下相关文献吗？ 2012-05-01 11:13:51
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影响层错能的因素包括合金元素、成分的偏聚、温度、磁性等，一般认为成分偏聚降低层错能。 层错能的计算方法主要有以下几种：1、基于电子浓度e/a的计算，适用于研究一些贵金属合金的层错能，但该关系对其它金属的适用性较差。2、TEM测量扩展位错结及宽度法。3、基于热力学的计算，在计算层错能的过程种，所需假设过多且大多的参数精确度不够。4、嵌入原子法(EAM) ，该方法目前尚不适用于多元合金层错能的计算。5、层错能的经验关系式。 |
4楼2012-05-01 10:28:30
