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木虫 (正式写手)

[求助] 霍尔测试样品时，测试的深度与什么有关呀？

我的样品是单晶硅片，上面长了几层单晶的薄膜，厚度在几十到上百纳米，我想测最上面一层的载流子迁移率，不希望有其他层的干扰。不知道霍尔测试能不能达到要求？霍尔测试的深度是与什么有关呢？可以通过调节掺杂来实现吗？
谢谢

奋斗。。。

1楼 2012-04-23 20:24:31

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金虫 (小有名气)

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qiqiqiqi: 金币+1, 回答的很具体 2012-04-24 11:01:22
月下冰魂: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-05-31 08:29:24

测霍尔没有测试深度这一说，一般谈到深度的话都是需要用探针来参与测量的，例如ECV,AFM之类的。。。。你可以看看这篇文章http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-JLXB199201010.htm。

2楼2012-04-24 10:09:42

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木虫 (正式写手)

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nofrunolif: 金币+1, 感谢交流 2012-04-26 08:49:47
月下冰魂: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-05-31 08:29:29

如果是有多层分立的导电通道的话（如多层2deg），是能够用一种使用微波探头的霍尔测试仪（比如LEI-1610E）通过算法拟合出来的，但是准确性嘛就不好说了。

3楼2012-04-26 08:43:27

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