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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 在硅片基地上长的p型NiO和n型ZnO异质结是否可以测电致发光谱（EL谱)？
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疯癫啲猪

铜虫 (初入文坛)

[求助] 在硅片基地上长的p型NiO和n型ZnO异质结是否可以测电致发光谱（EL谱)？

如题。两个电极分别做在NiO薄膜和ZnO薄膜上，如图
如果可以，那硅片是否对pn异质结的电致发光谱有影响？是否用玻璃基地更好？
如果不可以，能否说一下原因？
谢谢大虾们了！大侠们帮忙呀！




[ Last edited by 疯癫啲猪 on 2012-4-23 at 21:27 ]
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@ecind

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1楼2012-04-23 20:19:19
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疯癫啲猪

铜虫 (初入文坛)
怎么都没人知道啊？大虾们帮帮忙吧
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2楼2012-04-25 09:53:20
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jinxiyu

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
疯癫啲猪: 金币+1 2012-04-26 09:28:46
这个没啥影响的，ZnO作为发光层，理论上各个方向上发的光都是一样的。
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3楼2012-04-25 20:12:30
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zuopeng142

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
疯癫啲猪: 金币+1 2012-06-04 17:56:10
有PN结，能发光肯定可以测，也能测出来，不发光当然测不了。不过我没明白你问什么？
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4楼2012-05-25 16:13:45
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didu

木虫 (小有名气)
武大的方国家是不是做过类似的？APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 95, 013509
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5楼2012-05-26 10:55:36
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