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大家分析下这篇文章在progress in photovoltaics上发表的原因？
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| 《Fabrication of Cu(In, Ga)Se2 thin films by sputtering from a single quaternary chalcogenide target》在PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS的2011，19:160-164上发表，溅射后硒化做CIGS已经是很老的方法而且文章不容易发，本文报到的效率仅仅7.95%没有亮点，开压和FF更是有点惨不忍睹，唯一创新可能是因为是用四元靶做的，但是应该也不是很新，solar energy matearials and solar cells上也有类似文章在同时期有过发表，就是这么一篇文章发表在了光伏的顶级杂志，而且下载量排名前三，本人愚钝，请大家指点原因，抱拳！附件上传文章全文。 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Fabrication of Cu(In, Ga)Se2 thin films by sputtering from a single quaternary chalcogenide target.PDF
2012-04-18 10:40:03, 228.81 K
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 6点7点8点。。。 |
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17楼2014-08-21 21:44:22
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2楼2012-04-18 11:15:12
3楼2012-04-18 13:31:41
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4楼2012-04-18 14:05:51