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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 计算模拟 » 心得、技巧、经验分享 » VASP计算chemistry of materials CeO2掺杂一篇——顺求文中配位场理论解释
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

[求助] VASP计算chemistry of materials CeO2掺杂一篇——顺求文中配位场理论解释

这个文章亮点在哪里呢？
对我们有什么启示？

读了这篇文章，觉得写得挺好的。不是自己原来想的灌水文章。自己总结了几点，以引起大家的关注。请大家批评指正：
（1）对O2p加了U修正，让低价元素掺杂后的O hole局域到特定O原子上；
（2）对不同掺杂元素加了不同的U。
（3）指出了一个规律：掺杂元素倾向于按照自己的氧化物配位方式在CeO2主体成键。通过5组兼并d轨道分布来讨论了这一点。
（4）下面Fig. 3通过配位场解释了：掺杂元素与形成氧空位后的宿主形成的变异空间结构。这个我没看懂。
（5）我推测，这个文章的作者所在的组审过我的文章。一来我推荐过，二来他们的意见就是问：为什么不给O2p加U修正，及O hole的局域的问题。

问题：
（1）配位场理论里面讲的都是6配体的的空间结构，八面体或者变形八面体可以理解。为什么会出现cubic和square结构呢？
（2）t2g是dxy,dzy,dxz三个非键轨道。eg*是dz^2和dx^2-y^2两个反键轨道。这是不是说，决定ML6空间形状的是M的d轨道的空间伸展？配体的电子，以及M外层s电子都进入低能级a1g,t1u和eg。d电子实际上都"裸露"在t2g和eg*上？这个完全不懂，求解释~。


呵呵

[ Last edited by cenwanglai on 2012-4-18 at 11:00 ]
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1楼 2012-04-17 21:34:08
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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1

标准的Ce4+是8配位的
位置偏移了
会有一些变化
仔细看看图1
应该没问题
赞一下 回复此楼
sunyu730_emuch@126.com
7楼2012-04-21 13:31:34
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查看全部 22 个回答

youzhizhe

荣誉版主 (职业作家)

有志者

优秀版主优秀版主
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
cenwanglai: , 分享文献，我还没有这么让你失望过哦~ 2012-04-17 21:39:26
给个链接或者DOI号嘛？至少也给一个期刊页码吧？如果不是个人研究方向，即使感兴趣的也要去搜索一番，不爽。。
——
好吧，看到全文了。
赞一下 回复此楼
微博http://weibo.com/10986069
2楼2012-04-17 21:36:50
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
Graeme Watson同学的主页
http://www.tcd.ie/Chemistry/staf ... oup/members/watson/




[ Last edited by cenwanglai on 2012-4-17 at 21:50 ]
赞一下 回复此楼
3楼2012-04-17 21:42:29
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天棚元帅

木虫 (著名写手)
下来先看看~~~
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A man gets what he earns when he earns it.
4楼2012-04-18 00:26:55
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查看全部 22 个回答
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