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CdS,CdSe阻止光蚀现象为何选择外边包覆一层ZnS
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wqy8563
至尊木虫
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[交流]
CdS,CdSe阻止光蚀现象为何选择外边包覆一层ZnS
好多论文在做光催化剂的时候,特别是硫族半导体,如CdS,CdSe,CdTe时,都采用外边再包覆一层ZnS,制备成核壳结构,阻止其光蚀现象,原因何在?ZnS是白色的,也不是透明的,肯定降低了CdS的光吸收,并且其价带位置也在CdS之上,空穴不会从CdS转移到ZnS上,照样发生CdS的光氧化现象啊?但是大家都选择ZnS,想必有其优点,谁知道告诉一下,谢谢!!
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2012-04-14 15:50:19
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liuanan
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我不知道你说的光蚀现象是什么概念。我所知道的一个比较接近的是“光漂白”。原理是:光照情况下,量子点与周围的氧分子发生氧化还原反应,使得量子点表面的发光中心受到破坏。加上壳可以隔绝氧气分子,固定表面发光中心的原子构象。发光中心往往是缺陷中心。
较厚的ZnS不透光,但是很薄的情况下是透明的,这涉及到物理学中的光电磁理论,不展开讨论。
选择ZnS往往是因为在生物学应用中,这两种元素不是重金属,生物安全性好。另一方面也是因为晶格匹配性较好,容易形成核壳结构。
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4楼
2012-04-15 19:51:33
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wqy8563
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liuanan
at 2012-04-15 19:51:33:
我不知道你说的光蚀现象是什么概念。我所知道的一个比较接近的是“光漂白”。原理是:光照情况下,量子点与周围的氧分子发生氧化还原反应,使得量子点表面的发光中心受到破坏。加上壳可以隔绝氧气分子,固定表面发 ...
太好了 谢谢
说得很好 版主将我的金币转给他十个吧,算是感谢了
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5楼
2012-04-15 21:06:20
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liuanan
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我不知道你说的光蚀现象是什么概念。我所知道的一个比较接近的是“光漂白”。原理是:光照情况下,量子点与周围的氧分子发生氧化还原反应,使得量子点表面的发光中心受到破坏。加上壳可以隔绝氧气分子,固定表面发 ...
是分子氧发生的氧化导致的吗?不是光生电子转移之后留下的空穴氧化的吗?如果是空穴氧化,岂不是包覆没有意义了吗?
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6楼
2012-04-15 21:09:28
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lunarey
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6楼
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Originally posted by
wqy8563
at 2012-04-15 21:09:28:
是分子氧发生的氧化导致的吗?不是光生电子转移之后留下的空穴氧化的吗?如果是空穴氧化,岂不是包覆没有意义了吗?
整体过程比较复杂。我这么理解。加了ZnS之后,两个好处,一是CdS表面缺陷降低;二是因为能带问题,CdS的电子活动能力范围大,ZnS的能带宽于CdS,多了一层束缚,结合后降低了CdS光生电子活动范围。
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7楼
2012-04-16 09:51:32
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