【答案】应助回帖

11楼2012-04-15 16:40:32

dch27

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11楼: Originally posted by springer0110 at 2012-04-15 16:40:32:
焙烧出来的状态是IrO2。怎么可能会是金属Ir？这个肯定不对

理论上是氧化物啊，但是实际情况就是坩埚上有一层金属光泽，ICP分析（虽然估计不是很准确）发现铱的含量与理论值相差甚远。不知道你们是否碰过这种状况。求分享

12楼2012-04-16 08:56:11

dch27

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11楼: Originally posted by springer0110 at 2012-04-15 16:40:32:
焙烧出来的状态是IrO2。怎么可能会是金属Ir？这个肯定不对

13楼2012-04-16 08:56:20

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14楼2012-04-16 08:56:56

coco2004

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【答案】应助回帖

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10楼: Originally posted by dch27 at 2012-04-15 11:37:03:
弱弱的问句为什么过量浸渍可以防止升华？还有就是我之前怀疑自己使用的二氧化硅载体（气相纳米二氧化硅）惰性较大，所以作用力弱导致的。不知道您怎么看。我的催化剂都是用等量浸渍做的。

制备方法不同会导致催化剂性质不同的，所以不同方法制备的催化剂其催化活性会不同！我认为过量浸渍的催化剂Ir和SiO2的作用比等量浸渍的作用要强，所以才不会升华！你的Ir升华很有可能就是因为Ir和SiO2的作用不强导致的！如果想定量Ir，可以用ICP，催化剂制备过程中的少量损失是可以接受的！

15楼2012-04-16 19:56:50

dch27

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不知道你是否有制备过Ir催化剂，是否观测到类似的现象？
对于过量浸渍的催化剂作用要强于等量浸渍法的原理是怎样的呢？
如果要增强两者的作用力的话应该调PH低于IEP就可以了吧?
至于ICP分析我做过一些，但是觉得都比较大程度的偏离了实际值，原因是焙烧后的二氧化硅很难溶解造成了测量误差。
还有就是我使用的是气相纳米二氧化硅感觉惰性较强，所以想更换其他总类的二氧化硅，不知道你有什么好的建议没有？

16楼2012-04-16 22:46:34