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水中月

金虫 (小有名气)

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[交流] TEM横截面样品制备方法

1. 将样品切成两块5x2.5毫米的长方形小块。如果是Si、GaAs、STO等易
解理样品可以用玻璃刀切割，否则用金刚石盘锯或线锯切割。
2. 将样品表面清洗干净后薄膜面朝上并排放置工作台上，将M-bond或环
氧树脂胶均匀涂抹在薄膜面上。注意用胶要尽量少。然后将样品薄膜“面
对面”对齐压紧。为了使压力均匀并且保持薄膜表面互相平行，最好自己
设计一个专用的夹子。
3. 待胶固化好以后，用金刚石盘锯或线锯将样品切成2.5毫米宽，厚度越
薄越好的薄片。盘锯一般可一切到1毫米，而线锯可以切到150微米厚。
4. 用石蜡把样片薄膜面竖起来粘到样品托上抛光。第一面不需要考虑样
品的厚度，只需要抛光即可。
5. 单面抛光好以后用M-bond或环氧树脂胶把样品粘到钼环上。
6. 待胶固化好以后把样品翻过来磨另一面。第二面需要控制厚度，但表
面光洁度不必很高，因为我们下一步还要用DIMPLE抛光仪进一步减薄和抛
光。
7. 样品的最终厚度应该在70－100微米之间（包括30微米钼环）。
8. 把样品转一到DIMPLE抛光仪上进一步减薄。Dimple后样品中心的厚度
应该在10微米以下。如果Dimple前样品的厚度是准确的话，可以用抛光轮
的直径和所挖坑的轮廓直径来估计Dimple的深度。Si样品可以通过观察样
品中心的透光度估计样品深度。
9. 把DIMPLE好的样品放到离子减薄仪上作最后的减薄、穿孔。

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