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TEM横截面样品制备方法
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1. 将样品切成两块5x2.5毫米的长方形小块。如果是Si、GaAs、STO等易 解理样品可以用玻璃刀切割，否则用金刚石盘锯或线锯切割。 2. 将样品表面清洗干净后薄膜面朝上并排放置工作台上，将M-bond或环 氧树脂胶均匀涂抹在薄膜面上。注意用胶要尽量少。然后将样品薄膜“面 对面”对齐压紧。为了使压力均匀并且保持薄膜表面互相平行，最好自己 设计一个专用的夹子。 3. 待胶固化好以后，用金刚石盘锯或线锯将样品切成2.5毫米宽，厚度越 薄越好的薄片。盘锯一般可一切到1毫米，而线锯可以切到150微米厚。 4. 用石蜡把样片薄膜面竖起来粘到样品托上抛光。第一面不需要考虑样 品的厚度，只需要抛光即可。 5. 单面抛光好以后用M-bond或环氧树脂胶把样品粘到钼环上。 6. 待胶固化好以后把样品翻过来磨另一面。第二面需要控制厚度，但表 面光洁度不必很高，因为我们下一步还要用DIMPLE抛光仪进一步减薄和抛 光。 7. 样品的最终厚度应该在70－100微米之间（包括30微米钼环）。 8. 把样品转一到DIMPLE抛光仪上进一步减薄。Dimple后样品中心的厚度 应该在10微米以下。如果Dimple前样品的厚度是准确的话，可以用抛光轮 的直径和所挖坑的轮廓直径来估计Dimple的深度。Si样品可以通过观察样 品中心的透光度估计样品深度。 9. 把DIMPLE好的样品放到离子减薄仪上作最后的减薄、穿孔。 |
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