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p型 N掺杂ZnO研究进展**JACS文章***
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P-Type Nitrogen-Doped ZnO Nanoparticles Stable under Ambient Conditions Zinc oxide is considered as a very promising material for optoelectronics. However, to date, the difficulty in producing stable p-type ZnO is a bottleneck, which hinders the advent of ZnO-based devices. In that context, nitrogen-doped zinc oxide receives much attention. However, numerous reviews report the controversial character of p-type conductivity in N-doped ZnO, and recent theoretical contributions explain that N-doping alone cannot lead to p-typeness in Zn-rich ZnO. We report here that the ammonolysis at low temperature of ZnO2 yields pure wurtzite-type N-doped ZnO nanoparticles with an extraordinarily large amount of Zn vacancies (up to 20%). Electrochemical and transient spectroscopy studies demonstrate that these Zn-poor nanoparticles exhibit a p-type conductivity that is stable over more than 2 years under ambient conditions.  *************************************************************另附一个论坛内考古帖子，科学总是在不断的争论中得到发展，感兴趣的可以看下。 感谢dawnlight 版主，未告知的情况下引用此帖， 【交流】N掺杂不能形成P型ZnO？ http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1816406 ************************************************************* [ Last edited by nofrunolif on 2012-4-12 at 10:20 ] |
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2012-04-07 10:06:54, 896.48 K
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