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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

[交流] 化学浴法制备的无定型态CdS薄膜的紫外-可见光透射及吸光谱 已有13人参与

化学浴法制备的无定型态CdS薄膜的紫外-可见光透射及吸光谱

透过率曲线



吸光度曲线[ Last edited by caoxiafei on 2012-4-9 at 15:01 ]

吸光度A=log(1/T%),禁带宽度通过附件里面的公式计算![ Last edited by caoxiafei on 2012-12-27 at 09:28 ]
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  • 附件 1 : tv_18_2011_1_117_124.pdf
  • 2012-04-09 15:01:44, 198.5 K
  • 附件 2 : 半导体禁带宽度值Eg计算方法.pdf
  • 2012-12-27 09:25:29, 51 K

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ujn_cxd

捐助贵宾 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
14楼: Originally posted by kingbreath at 2012-04-09 18:01:37
2.21eV与2.24eV几乎就没什么差别了,文献中报道相差0.6eV的都有,

你的2.21是怎么计算的啊 这个应该是能量与吸收系数的关系作图然后有个线性不分拟合直线与横坐标截距
34楼2013-06-10 16:32:53
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hzywzq

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
吸光度曲线和透射率曲线算出来的禁带宽度相同吗?
想要得到自己想要的,要能放弃些什么。。。
2楼2012-04-07 10:31:02
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

★ ★
nofrunolif: 金币+2, 鼓励交流 2012-04-07 15:25:40
从透射率曲线中,取透过率为80%点,作为CdS薄膜开始吸光的点,对应的波长约为560nm,从吸光度曲线里面,(从长波到短波)吸光度开始增大点也是约为560nm,这么计算的话,1240/560=2.21eV,我获得的无定型态CdS薄膜的禁带宽度约为2.21eV,与文献中报道的2.24eV有所差距,可能是由于CdS纳米晶的量子效应引起的。
3楼2012-04-07 15:18:08
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hzywzq

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by caoxiafei at 2012-04-07 15:18:08:
从透射率曲线中,取透过率为80%点,作为CdS薄膜开始吸光的点,对应的波长约为560nm,从吸光度曲线里面,(从长波到短波)吸光度开始增大点也是约为560nm,这么计算的话,1240/560=2.21eV,我获得的无定型态CdS薄膜 ...

很感谢 caoxiafei 的帮助,在问一个问题,就是作图算禁带宽度时(ahv)1/n~(hv)与(F(R)hv)1/n~hv有什么区别,F(R)是根据k-m公式来算的,a是根据什么公式从吸收度A换算过来,我看别人的帖子说是a与A是成正比的,有没有什么具体的关系。有什么参考文献吗?
想要得到自己想要的,要能放弃些什么。。。
4楼2012-04-08 11:14:34
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