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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

[交流] 化学浴法制备的无定型态CdS薄膜的紫外-可见光透射及吸光谱 已有13人参与

化学浴法制备的无定型态CdS薄膜的紫外-可见光透射及吸光谱

透过率曲线



吸光度曲线[ Last edited by caoxiafei on 2012-4-9 at 15:01 ]

吸光度A=log（1/T%）,禁带宽度通过附件里面的公式计算！[ Last edited by caoxiafei on 2012-12-27 at 09:28 ]
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  • 附件 1 : tv_18_2011_1_117_124.pdf
    • 2012-04-09 15:01:44, 198.5 K
  • 附件 2 : 半导体禁带宽度值Eg计算方法.pdf
    • 2012-12-27 09:25:29, 51 K

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1楼 2012-04-06 20:24:42
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kingbreath

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
2.21eV与2.24eV几乎就没什么差别了，文献中报道相差0.6eV的都有，
赞一下(1人) 回复此楼
most of the great ideas we have in life are born out of the fleeting moments of stillness.
14楼2012-04-09 18:01:37
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hzywzq

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
吸光度曲线和透射率曲线算出来的禁带宽度相同吗？
赞一下 回复此楼
想要得到自己想要的，要能放弃些什么。。。
2楼2012-04-07 10:31:02
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池
★ ★
nofrunolif: 金币+2, 鼓励交流 2012-04-07 15:25:40
从透射率曲线中，取透过率为80%点，作为CdS薄膜开始吸光的点，对应的波长约为560nm，从吸光度曲线里面，（从长波到短波）吸光度开始增大点也是约为560nm，这么计算的话，1240/560=2.21eV,我获得的无定型态CdS薄膜的禁带宽度约为2.21eV，与文献中报道的2.24eV有所差距，可能是由于CdS纳米晶的量子效应引起的。
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3楼2012-04-07 15:18:08
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hzywzq

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by caoxiafei at 2012-04-07 15:18:08:
从透射率曲线中，取透过率为80%点，作为CdS薄膜开始吸光的点，对应的波长约为560nm，从吸光度曲线里面，（从长波到短波）吸光度开始增大点也是约为560nm，这么计算的话，1240/560=2.21eV,我获得的无定型态CdS薄膜 ...

很感谢 caoxiafei 的帮助，在问一个问题，就是作图算禁带宽度时（ahv）1/n~（hv）与（F(R)hv)1/n~hv有什么区别，F（R）是根据k-m公式来算的，a是根据什么公式从吸收度A换算过来，我看别人的帖子说是a与A是成正比的，有没有什么具体的关系。有什么参考文献吗？
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想要得到自己想要的，要能放弃些什么。。。
4楼2012-04-08 11:14:34
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