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关于ZIF孔道内填充金属粒子的问题
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2012-04-01 00:19:18
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7楼
:
Originally posted by
surpassfish
at 2012-04-01 18:28:38:
算是改性吧 向已经合成好的ZIF中填充金属
哦,那我说的方法好像不适用哎,可以采用过量浸渍的方法,在相对较高的温度下,比如说离子交换的温度80℃下,采用金属离子的前驱体,在过量水的情况下,进行离子交换,应该比较适合~
还有就是对于分子筛而言,高硅铝比分子筛一般是疏水性的,只有低硅铝比的分子筛才是亲水性的
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8楼
2012-04-01 20:35:57
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2012-04-01 13:24:10
以前在学校看到文献报道过,首先采用化学气相沉积法,之后采用氢气进行还原。
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2012-04-01 13:21:57
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3楼
2012-04-01 13:23:53
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3楼
:
Originally posted by
surpassfish
at 2012-04-01 13:23:53:
你说的化学气相沉积法是怎样?能不能说得详细一点?
毕业了,文献不方便找。大致是这个样子:在一个腔体中,放入ZIFs和金属有机化合物(比如二茂铁,容易挥发);抽真空;之后加热让金属有机化合物沉积到孔洞中;最后氢气还原。你找找应该可以找到相关文献的!
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4楼
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