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请教关于InGaN量子阱结构的优势~
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三元合金 InGaN 具有比 GaN 更好的发光特性，其光致发光强度要比GaN 高两个数量级。由于量子阱结构可有效的约束载流子、降低漏电及阈值电流、可以形成导波结构约束光子，易于形成激光器等结构优势…… 阅读文献看到一段文字，提到波导结构~请问何为波导结构？怎么理解InGaN量子阱形成波导结构约束光子这个现象？ |
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