24小时热门版块排行榜

返回列表

本帖产生 1 个翻译EPI ，点击这里进行查看

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

yuanbing0000

至尊木虫 (小有名气)

翻译EPI: 21
应助: 0 (幼儿园)
金币: 12966.7
红花: 1
帖子: 81
在线: 70.3小时
虫号: 1143224
注册: 2010-11-10
性别: MM
专业: 传动机械学

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
爱与雨下(金币+2): 2012-03-11 12:40:07
nuptsww(金币+20, 翻译EPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-03-11 16:12:19

供参考：
典型的FET（场效应晶体管）由图1所示的基本元件组成：源极、栅极、门电路元件，介质层和半导体层。OFET采用薄膜晶体管结构，它与低传导性材料的适应性已得到证明。栅极和源极之间的电流由外加的门电压调节。当不加门电压时，如果半导体掺杂度不高且晶体管正常的话，栅电流很低。随着门电压增加，移动的电荷会聚集在半导体和绝缘体之间的界面。由于电荷载体增加，电流变大，因此晶体管出于“开”的状态。这就是OFET的工作原理。图2 所示为OFET的输出特性，它与用铜酞菁（CuPc）作为半导体的设备呼应，500毫米厚的二氧化硅（SiO2）根据自组合单层十八基三氯硅烷作为门绝缘体，掺杂度高的N型硅晶片作为门电极，黄金作为源极和栅极而修正。当门电极阴极加偏压，基于铜酞菁（CuPc）的晶体管在累加态下工作，晶体管信道内的空穴是主要的电荷载体。我们从输出可以看出,随着栅电压的增加，设备逐渐由线性区进入饱和区，在线性区内删电流与漏偏压不相关。目前由可变增益（VG）调节的仪器零点偏移(ID)近似地由下列方程确定.。

赞一下

回复此楼

2楼2012-03-07 21:38:55

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

相关版块跳转我要订阅楼主 nuptsww 的主题更新

返回列表