| 查看: 1242 | 回复: 4 | |||
[交流]
有对AlGaN/GaN异质结了解的高手吗？
|
|
第一，大家认为第二种结构与传统结构相比其优势有哪些？ 第二，有人这样认为“通过在GaN缓冲层上方插入一层40nm厚的高温 AlN 薄膜后……采用这种方法的另外一个好处是由于高温 AlN 插入层的引入，增强了上层 GaN 材料的压应变，使得AlGaN和GaN之间的晶格失配减小、极化效应增强，从而提高了 AlGaN/GaN异质结材料2DEG的迁移率和面密度。”请问高手认为这个观点正确吗？  |
回复此楼» 猜你喜欢
有谁可曾问过你过的还好吗？
已经有21人回复
-
E0414, 我的本子有没有希望？
已经有7人回复
-
一篇论文同时出现在两个期刊，一模一样，这算不算学术不端，请各位老师斧正。
已经有12人回复
-
希望面上有个好结果
已经有7人回复
-
三区计算机方向期刊推荐
已经有5人回复
-
sci论文二审求助
已经有5人回复
-
函评
已经有7人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 本体异质结和双层异质结有什么区别吗？
已经有4人回复
- 四氟硼酸锂浓缩结晶，该怎么操作？求求高手指教！！！！！！
已经有21人回复
- 【求助】ALGaN/GaN 薛定谔泊松方程自洽求解（插AlN层）
已经有5人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
⚽️赛场争冠，科研进阶 | 原位光谱，适配钙钛矿 、OPV等全流程表征
+1/85
-
温州医科大学李校堃院士团队宋林涛/黄志锋课题组诚聘博士后
+1/78
-
骨生物材料与侗药调控类器官再生湖南省普通高等学校重点实验室招聘生物医用材料相关博
+2/68
-
山东省自然科学基金
+1/57
-
真诚找个相伴一生的另一半，非诚勿扰
+1/57
-
哈工大深圳-材料学院-招收申请审核制2027年春季/秋季入学博士生（2026年9月报名）
+1/36
-
西南交通大学环境科学与工程学院龙明策团队诚聘博士后
+1/31
-
博士毕业之后申请发明专利
+1/28
-
重庆大学金属塑性成形方向招收2027年博士研究生（学博）
+2/22
-
澳大利亚西澳大学招收交通工程/智能交通方向博士生
+1/17
-
墨尔本大学(26年QS19)招全奖博士/CSC博士(补齐全奖)/访问学者等-材料/生物医学等
+1/12
-
墨尔本大学(26年QS19)招全奖博士/CSC博士(补齐全奖)/访问学者等-材料/生物医学等
+1/12
-
东北师范大学荒漠与草地生态学方向诚聘博士后青年才俊
+1/10
-
哈尔滨工业大学招收硕士研究生（欢迎环境、市政、生物、化学、农业等专业，长期有效）
+1/10
-
哈工大马樱教授招收2027级计算机类、集成电路类博士生
+1/10
-
四川大学周加境课题组招聘博士后/博士/研究助理（生物质与藻类资源利用/自组装材料）
+1/9
-
求助最新版ISO 5817
+1/6
-
北京理工大学-集成电路与电子学院-招博士后
+1/3
-
上海大学微电子学院杨军教授团队招聘带编专任教师
+1/2
-
2026年黄河科技学院纳米功能材料研究所招聘
+1/1
2楼2012-03-06 18:50:53
3楼2012-03-07 09:14:49
4楼2013-12-18 19:39:40
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
(1) 差别在于N-face和P-face的GaN吧？一般用的是Ga-face，UCSB的Mishra, et al对N-face研究比较多。号称对2DEG的束缚要好一些，容易形成低电阻率欧姆接触。 (2) GaN下面加一层AlN能一定程度上使AlGaN和GaN晶格失配减小。AlN和AlGaN晶格常数都比GaN大。这个设计实际上是让夹在AlGaN和AlN之间的GaN处于tensile stain的状态。至于能否提高2DEG迁移率，这个不好说。但是Si工艺确实有用SiGe给Si施加拉伸应力从而提高迁移率的应用。已经成功用在45nm及以下工艺。 |
5楼2013-12-23 11:40:41