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有对AlGaN/GaN异质结了解的高手吗？
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第一，大家认为第二种结构与传统结构相比其优势有哪些？ 第二，有人这样认为“通过在GaN缓冲层上方插入一层40nm厚的高温 AlN 薄膜后……采用这种方法的另外一个好处是由于高温 AlN 插入层的引入，增强了上层 GaN 材料的压应变，使得AlGaN和GaN之间的晶格失配减小、极化效应增强，从而提高了 AlGaN/GaN异质结材料2DEG的迁移率和面密度。”请问高手认为这个观点正确吗？  |
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(1) 差别在于N-face和P-face的GaN吧？一般用的是Ga-face，UCSB的Mishra, et al对N-face研究比较多。号称对2DEG的束缚要好一些，容易形成低电阻率欧姆接触。 (2) GaN下面加一层AlN能一定程度上使AlGaN和GaN晶格失配减小。AlN和AlGaN晶格常数都比GaN大。这个设计实际上是让夹在AlGaN和AlN之间的GaN处于tensile stain的状态。至于能否提高2DEG迁移率，这个不好说。但是Si工艺确实有用SiGe给Si施加拉伸应力从而提高迁移率的应用。已经成功用在45nm及以下工艺。 |
5楼2013-12-23 11:40:41