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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 交流互助 » 有对AlGaN/GaN异质结了解的高手吗？
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MANOWAR

金虫 (正式写手)

[交流] 有对AlGaN/GaN异质结了解的高手吗？

第一，大家认为第二种结构与传统结构相比其优势有哪些？
第二，有人这样认为“通过在GaN缓冲层上方插入一层40nm厚的高温 AlN 薄膜后……采用这种方法的另外一个好处是由于高温 AlN 插入层的引入，增强了上层 GaN 材料的压应变，使得AlGaN和GaN之间的晶格失配减小、极化效应增强，从而提高了 AlGaN/GaN异质结材料2DEG的迁移率和面密度。”请问高手认为这个观点正确吗？
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1楼 2012-03-05 17:36:25
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爱惜花草

木虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
MANOWAR(金币+1): 谢谢帮顶贴~ 2012-03-08 09:26:40
虽然对你做的不懂，但支持一下，很难在这个版块里看到有人讨论III-V族，我以前发的帖子都没什么人回。。。
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2楼2012-03-06 18:50:53
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sun_spook

银虫 (小有名气)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
zhaohaixing(金币+1): 鼓励交流~ 2012-03-07 10:52:45
MANOWAR(金币+1): 谢谢回复，有所启发~ 2012-03-08 09:26:05
AlN插入层主要是对生长的GaN材料的质量有利。 如果真的能减小GaN的位错和缺陷的话，会对迁移率有好处。在蓝宝石衬底上我没有用过，不过做硅基GaN的时候，如果不用AlN插入层的话，GaN无法生长足够的厚度就会龟裂。  
减少自发极化的主要原因是GaN层的厚度减小。具体影响我也不太清楚。
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3楼2012-03-07 09:14:49
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Hawjing

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我们最近正在做这方面的，但是不是完全一样。应该就是为了减少缺陷。LT-AiN层生长温度比较低，形成的是多晶，为了隔断位错。再上边的生长温度就是正常温度。（b）的多层结构也是为了上层GaN结构的晶体质量更好。这样在异质节界面形成的二维电子气的迁移率才会更高。仅供参考
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4楼2013-12-18 19:39:40
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liyangntu

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
(1) 差别在于N-face和P-face的GaN吧？一般用的是Ga-face，UCSB的Mishra, et al对N-face研究比较多。号称对2DEG的束缚要好一些，容易形成低电阻率欧姆接触。
(2) GaN下面加一层AlN能一定程度上使AlGaN和GaN晶格失配减小。AlN和AlGaN晶格常数都比GaN大。这个设计实际上是让夹在AlGaN和AlN之间的GaN处于tensile stain的状态。至于能否提高2DEG迁移率，这个不好说。但是Si工艺确实有用SiGe给Si施加拉伸应力从而提高迁移率的应用。已经成功用在45nm及以下工艺。
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5楼2013-12-23 11:40:41
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