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求教 low-frequency lock-in techniques 原理
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在一篇文献上看到这个，原话如下： After establishing a safe range of top-gate voltage, the source − drain resistance of each G-GO FET was measured using low-frequency lock-in techniques while sweeping Vtg and back-gate voltage Vbg. 我想问下这个到底是什么原理 称为低频锁相技术？ 请高人指教 谢谢 |
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