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为什么我进行Si结构优化的时候只进行了一次离子步的计算？
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不知道为什么,我的离子步只进行了一次，求高手解答~ 输出如下： N E dE d eps ncg rms rms(c) DAV: 1 0.494326194676E+03 0.49433E+03 -0.71069E+04 1088 0.107E+03 DAV: 2 -0.243342847152E+03 -0.73767E+03 -0.70315E+03 1312 0.172E+02 DAV: 3 -0.295807755585E+03 -0.52465E+02 -0.51726E+02 1336 0.409E+01 DAV: 4 -0.297111774949E+03 -0.13040E+01 -0.12964E+01 1288 0.794E+00 DAV: 5 -0.297154959370E+03 -0.43184E-01 -0.43072E-01 1352 0.131E+00 0.158E+01 RMM: 6 -0.293713652362E+03 0.34413E+01 -0.19656E+00 1088 0.236E+00 0.942E+00 RMM: 7 -0.292143136879E+03 0.15705E+01 -0.43861E+00 1088 0.360E+00 0.793E-01 RMM: 8 -0.292181064951E+03 -0.37928E-01 -0.13008E-01 821 0.706E-01 1 F= -.29218106E+03 E0= -.29218286E+03 d E =-.292181E+03 curvature: 0.00 expect dE= 0.000E+00 dE for cont linesearch 0.000E+00 trial: gam= 0.00000 g(F)= 0.374E-03 g(S)= 0.543E+00 ort = 0.000E+00 (trialstep = 0.100E+01) search vector abs. value= 0.543E+00 reached required accuracy - stopping structural energy minimisation writing wavefunctions 我的INCAR如下： SYSTEM = Silicon NPAR = 5 LPLANE = .TRUE. LSCALU = .FALSE. NSIM = 4 ALGO = FAST LREAL = .FALSE. ISTART = 0 PREC = High EDOS = 900 GGA = PE NSW = 100 IBRION = 2 ISIF = 2 LORBIT = 11 ENCUT = 400.0 eV EDIFF = 1.0E-5 EDIFFG = -0.01 NELM = 100 NELMIN = 2 ISMEAR = 1 SIGMA-tag ISPIN = 1 POSCAR: Si 5.38936 0.5 0.5 0.0 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 2 Cartesian 0.0000000 0.0000000 0.0000000 0.2500000 0.2500000 0.2500000 |
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8楼2012-03-02 20:42:56
fzx2008
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