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zpawl

铜虫 (小有名气)

[求助] 非晶硅太阳能电池的若干问题

有人知道为什么非晶硅太阳能电池要制备成pin型,而不是制备成晶态硅太阳能电池那样的pn型?有人说i层能有效地产生光生载流子,还是不太理解,能通俗、具体的解释下吗?
还有一个问题是有看到文章中说非晶硅电池中的i层一般是弱n型,为什么呢?
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by zpawl at 2012-03-01 12:02:53:
那为什么要把P层做成迎光面,而不是N层呢?

这是硅基薄膜太阳能电池中电子的迁移率要比空穴的迁移率打两个数量级,扩散长度也比空穴要大。而受光的一侧较薄,所以p层作为受光层可以更好的收集空穴,否则空穴很容易被复合掉。
9楼2012-03-01 19:01:42
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查看全部 19 个回答

求知者7838

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
zpawl(金币+1): ★★★很有帮助 2012-02-28 16:31:24
晶体硅电池一般采用P型硅片扩散三氯氧磷直接形成PN结,因为晶体硅晶格结构排列整齐,光照在N型结上面产生光生载流子以后,载流子被晶体内部缺陷复合的很少,因此载流子的收集效率很高;
非晶硅薄膜电池本身晶格结构是长程无序,且内部缺陷态密度很大,如果按照晶体硅的制造工艺,由N型结受光产生光生载流子很快就被N型结和P型结的内部缺陷态所收集,载流子寿命会很小,根本无法最终被收集到电池的正负极。
因此,非晶硅薄膜电池需要做成PIN结,I层是本征态,内部缺陷少,产生光生载流子以后能在PN结内建电场的作用下很快被收集到正负极。
不知道我说清楚没有?
2楼2012-02-28 08:45:35
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zpawl

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
: Originally posted by 求知者7838 at 2012-02-28 08:45:35:
晶体硅电池一般采用P型硅片扩散三氯氧磷直接形成PN结,因为晶体硅晶格结构排列整齐,光照在N型结上面产生光生载流子以后,载流子被晶体内部缺陷复合的很少,因此载流子的收集效率很高;
非晶硅薄膜电池本身晶格结 ...

您解释的很好,但我还是有一点不太明白,一般杂质能级不都是复合中心吗?晶体硅电池的p层中的杂质能级不也要很快把光生载流子复合掉了吗?
3楼2012-02-28 16:28:56
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
P层和N层太薄了,i曾主要是光吸收曾啊

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2012-02-29 08:01:19
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