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zpawl

铜虫 (小有名气)

[求助] 非晶硅太阳能电池的若干问题

有人知道为什么非晶硅太阳能电池要制备成pin型,而不是制备成晶态硅太阳能电池那样的pn型?有人说i层能有效地产生光生载流子,还是不太理解,能通俗、具体的解释下吗?
还有一个问题是有看到文章中说非晶硅电池中的i层一般是弱n型,为什么呢?
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by 求知者7838 at 2012-02-29 09:52:33:
还有一个问题上次忘了回答:为什么非晶硅的I层一般显弱N型?
   因为非晶硅的I层主要是由Si-H键组成,这个键非常容易被打断,打断之后会产生Si的悬挂键,这样就会多出一个自由电子,所以说会显弱N型。

弱n型是由于本征非晶硅的电子漂移迁移率远远大于空穴迁移率,而导致其电导率主要是电子输运,从而表现出弱n型的电导特性。

还有i层的主要作用有两个:1,作为光吸收层,因为pn层太薄,不足以吸收光源。
2,由于内建势的作用,使得i层充满了电场,这样有利于i层的光生载流子的分离,使电子流向n层,空穴流向p层,而且本征层也不利于载流子的复合。总之,是对载流子的收集作用很大。
7楼2012-02-29 23:58:30
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求知者7838

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
zpawl(金币+1): ★★★很有帮助 2012-02-28 16:31:24
晶体硅电池一般采用P型硅片扩散三氯氧磷直接形成PN结,因为晶体硅晶格结构排列整齐,光照在N型结上面产生光生载流子以后,载流子被晶体内部缺陷复合的很少,因此载流子的收集效率很高;
非晶硅薄膜电池本身晶格结构是长程无序,且内部缺陷态密度很大,如果按照晶体硅的制造工艺,由N型结受光产生光生载流子很快就被N型结和P型结的内部缺陷态所收集,载流子寿命会很小,根本无法最终被收集到电池的正负极。
因此,非晶硅薄膜电池需要做成PIN结,I层是本征态,内部缺陷少,产生光生载流子以后能在PN结内建电场的作用下很快被收集到正负极。
不知道我说清楚没有?
2楼2012-02-28 08:45:35
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zpawl

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
: Originally posted by 求知者7838 at 2012-02-28 08:45:35:
晶体硅电池一般采用P型硅片扩散三氯氧磷直接形成PN结,因为晶体硅晶格结构排列整齐,光照在N型结上面产生光生载流子以后,载流子被晶体内部缺陷复合的很少,因此载流子的收集效率很高;
非晶硅薄膜电池本身晶格结 ...

您解释的很好,但我还是有一点不太明白,一般杂质能级不都是复合中心吗?晶体硅电池的p层中的杂质能级不也要很快把光生载流子复合掉了吗?
3楼2012-02-28 16:28:56
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
P层和N层太薄了,i曾主要是光吸收曾啊

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2012-02-29 08:01:19
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