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jxlcwy铁杆木虫 (著名写手)
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本文研究了SiO2含量对SiO2-CCTO陶瓷材料物相结构、微观形貌及介电性能的影响。在高温烧结时SiO2 不会与CCTO发生固相反应，而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷晶界处。SiO 2的加入影响CCTO陶瓷的内部晶粒的形态，低含量(如1 wt％)的SiO2 会抑制CCTO陶瓷晶粒的生长，而较高含量(如高于2wt％)的SiO2会促进CCTO陶瓷晶粒的长大。SiO2的加入对CCTO陶瓷的晶粒电阻几乎没有影响，而晶界电阻则随SiO2 的加入显著增大，导致CCTO陶瓷介电损耗的降低。SiO2的加入使CCTO陶瓷仍能保持具有相对较高的介电常数以及较低的介电损耗，具有一定的开发和应用前景。 求高手帮忙翻译，万分感谢。不要用软件直接翻译的，要语序正确的。跪求帮忙了。。 |
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【答案】应助回帖
爱与雨下(金币+1): 2012-02-22 19:01:50
jxlcwy(金币+30, 翻译EPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-02-23 10:37:27
jxlcwy(金币+30, 翻译EPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-02-23 10:37:27
| This article investigated the influence of SiO2 content on phase structure 、microstructure and dielectrical property of ceramic material. SiO2 do not reacted with CCTO when sintered at high temperature, it existed on the grain boundary of ceramic material as a second phase,the addition of SiO2 influences the morphology of grains inside , for example, low content of (1wt%) SiO2 can inhibit the grain growth of CCTO ceramic, high content of (higher than 2wt%), however,the addition of SiO2 have nearly no influence on grain resistance of CCTO ceramic, but the grain boundary resistance increase with the addition of SiO2 which induced the decrease of dielectric loss in CCTO ceramic, the addition of SiO2 can make CCTO keep a relative high dielectric constant and low dielectric loss ,it shows an bright development and application prospects. |
2楼2012-02-22 16:53:53