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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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[求助]
低价阳离子取代掺杂金属氧化物，空穴是局域的还是离域的？
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比如BaTiO3钙钛矿，用Na（+）取代其中某个Ba（2+）位置。 （1）Na位置上出现一个Na+和一个空穴（v+）; （2）这个空穴会在材料内移动，可能会被某个O2-捕获，形成局域的O-。这就是所谓的Na+____O-对。 （3）这个V+有可能在多个O2-之间共享，形成O2p hole的delocalization. 问题： （1）半导体或者绝缘体中，低价阳离子掺杂引入的间隙态（受主能级，acceptor level）主要由掺杂原子，主体阳离子还是阴离子“轨道”组成？ （2）一般在缺陷半导体或者绝缘体中，O2p hole(s)是局域的还是离域的？局域或者离域的原因是什么？ [ Last edited by cenwanglai on 2012-2-14 at 17:12 ] |
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wydzyx2003
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