24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (4187)
>文献求助 (464)
>虫友互识 (366)
>导师招生 (292)
>考博 (168)
>招聘信息布告栏 (151)
>硕博家园 (144)
>论文道贺祈福 (106)
>休闲灌水 (106)
>博后之家 (91)
>考研 (82)
>论文投稿 (74)
>基金申请 (63)
>教师之家 (61)
>公派出国 (50)
>找工作 (46)

返回列表

本帖产生 1 个基金HEPI ，点击这里进行查看

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

xinglinzi

木虫 (正式写手)

基金HEPI: 116
应助: 0 (幼儿园)
金币: 4736.8
红花: 3
帖子: 435
在线: 91.4小时
虫号: 48704
注册: 2004-06-26
性别: GG
专业: 数理统计

【答案】应助回帖

jenway(金币+4, 基金HEPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-01-22 15:32:10

采用两步法在蓝宝石基片上制备ZnMgO薄膜，用XPS、XRD、AFM、SEM、UV-Vis等测试分析ZnMgO薄膜中的元素化学价态、Mg含量、微结构、表面形貌和紫外吸收边等。通过优化制备工艺条件，制备出结晶度高、紫外吸收边可调的ZnMgO薄膜。采用磁控溅射技术在ZnMgO薄膜上依次沉积MgF2薄膜、Au膜和Al膜，制备出肖特基接触Au/MgF2/ZnMgO/Al金属-氧化物-半导体（MOS）结构。重点研究ZnMgO薄膜的Mg含量、结晶质量、缺陷密度和周围环境影响MOS结构紫外探测波长、光响应度、探测灵敏度、响应速度、紫外/可见抑制比等紫外探测性能的微观机理；从Au/MgF2/ZnMgO能带结构和MgF2介质层中碰撞离化引起的载流子倍增效应出发，揭示MgF2介质层增强MOS结构内在光电流增益和光响应度的物理机理.

赞一下

回复此楼

2楼2012-01-20 18:19:10

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

相关版块跳转我要订阅楼主 jenway 的主题更新

返回列表