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jenway

金虫 (小有名气)

[求助] 摘要求助 51102072/E0209

求助摘要的编号:
51102072/E0209
项目名称:
新型Au/MgF/MgZnO金属-氧化物-半导体结构的制备及其紫外探测性能研究
项目类型:
青年基金

十分感谢!!!

[ Last edited by jenway on 2012-1-19 at 00:02 ]
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xinglinzi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

jenway(金币+4, 基金HEPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-01-22 15:32:10
采用两步法在蓝宝石基片上制备ZnMgO薄膜,用XPS、XRD、AFM、SEM、UV-Vis等测试分析ZnMgO薄膜中的元素化学价态、Mg含量、微结构、表面形貌和紫外吸收边等。通过优化制备工艺条件,制备出结晶度高、紫外吸收边可调的ZnMgO薄膜。采用磁控溅射技术在ZnMgO薄膜上依次沉积MgF2薄膜、Au膜和Al膜,制备出肖特基接触Au/MgF2/ZnMgO/Al金属-氧化物-半导体(MOS)结构。重点研究ZnMgO薄膜的Mg含量、结晶质量、缺陷密度和周围环境影响MOS结构紫外探测波长、光响应度、探测灵敏度、响应速度、紫外/可见抑制比等紫外探测性能的微观机理;从Au/MgF2/ZnMgO能带结构和MgF2介质层中碰撞离化引起的载流子倍增效应出发,揭示MgF2介质层增强MOS结构内在光电流增益和光响应度的物理机理.
2楼2012-01-20 18:19:10
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