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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 能源 » 新能源 » 为什么si-H代表薄膜的高质量而si-H2代表薄膜中的缺陷呢？
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monserdxw

金虫 (小有名气)

[求助] 为什么si-H代表薄膜的高质量而si-H2代表薄膜中的缺陷呢？

请高人解释下原因啊  有相关文献就更好了  金币不多就悬一个了  谅解啊！
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1楼 2012-01-11 12:21:53
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monserdxw

金虫 (小有名气)
引用回帖:
楼: Originally posted by wysanxing at 2012-01-13 09:54:00:
去百度搜索 找电子版的 可以找到

不用搜，照片都发上来了 小样我还不知道你是谁啊！
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6楼2012-01-13 15:49:42
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
monserdxw(金币+1): ★★★很有帮助 2012-01-12 11:34:38
前者是已经成键，氢键在很多方面改善薄膜的性质，如硬度、摩擦系数、电导率等；而后者H2只是滞留在薄膜里面当然是缺陷了，至于以何种形式滞留在薄膜里面就需要进一步研究了！
赞一下 回复此楼
趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！
2楼2012-01-12 00:01:04
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wysanxing

金虫 (小有名气)
★
nono2009(金币+1): 鼓励应助 2012-01-15 13:59:49
可以看看陈治明的书籍《非晶半导体材料与器件》63-64页有此介绍
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3楼2012-01-12 09:18:16
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monserdxw

金虫 (小有名气)
引用回帖:
楼: Originally posted by wysanxing at 2012-01-12 09:18:16:
可以看看陈治明的书籍《非晶半导体材料与器件》63-64页有此介绍

回来给我看看啊
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4楼2012-01-12 11:38:35
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