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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 如何实验确定半导体是n型还是P型？
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无香名

银虫 (著名写手)

[交流] 如何实验确定半导体是n型还是P型？

如题。另外，如何确定半导体是重掺杂型的？如果要获得重掺杂型的半导体，掺杂离子如何选取？比如，我想获得CdS重掺杂n型半导体，应该掺什么离子？想获得CdS重掺杂p型半导体，应该掺什么离子？离子选择是否与获得重掺杂的TiO2半导体的方法一样？
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1楼 2012-01-06 08:48:02
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

鹰羽龙

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
无香名(金币+2):谢谢参与
nofrunolif(金币+2): 感谢交流 2012-01-07 12:49:39
nofrunolif: 回帖置顶 2012-01-08 13:14:50
1.应该是测费米能级位置吧，与本征费米能级比较，N掺杂后费米能级靠近导带（或者重掺杂费米能级进入导带）。P掺杂费米能级靠近价带。
2.N掺杂一般选比原材料阳离子多一个或两个价电子的阳离子，P掺杂一般选少一个或两个价电子的阳离子。如Si有四个价电子，掺B就是P掺杂，掺P就是N掺杂。
3.CdS不掺杂的情况下也是N型半导体，因为有很多S缺陷。
4.至于选什么离子，你得参考文献了，不是所有离子都可以掺进去的。
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6楼2012-01-06 16:43:09
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liulinlin

至尊木虫 (职业作家)
★ ★
无香名(金币+2):谢谢参与
nofrunolif(金币+1): 鼓励交流 2012-01-08 13:15:24
可以测定试样的Mott-Schottky曲线（斜率正为n型）或者测量光电流（正的光电流为n型）。
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9楼2012-01-08 10:14:26
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普通回帖

MANOWAR

金虫 (正式写手)
★
无香名(金币+2):谢谢参与
霍尔。
掺杂原子采用什么我也不懂。
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2楼2012-01-06 09:42:39
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Yemandragon

金虫 (小有名气)
★
无香名(金币+2):谢谢参与
刘老师的学生？
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3楼2012-01-06 10:16:24
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fliboy

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
无香名(金币+2):谢谢参与
nofrunolif(金币+1): 欢迎交流 2012-01-06 14:39:28
测电化学性质 Mott曲线. 或者霍尔效应
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4楼2012-01-06 10:18:00
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xiejf

专家顾问 (文学泰斗)
★
无香名(金币+2):谢谢参与
一直对半导体是P还是N晕晕乎乎
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5楼2012-01-06 11:02:05
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keqi8058

金虫 (正式写手)
★
无香名(金币+2):谢谢参与
霍尔效应
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7楼2012-01-06 23:37:26
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yanghengquan

金虫 (正式写手)
★
无香名(金币+2):谢谢参与
还可根据塞贝克的正负来判断，电子为负数，空穴为正数
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8楼2012-01-08 02:19:34
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怨士无怨

铜虫 (小有名气)
★ ★
无香名(金币+2):谢谢参与
nofrunolif(金币+1): 鼓励本版交流 2012-01-08 13:15:12
如果只是做纳米颗粒 估计霍尔效应法 不会太好用
可以尝试标准电位法
至于掺杂 还是查文献吧

对CdS而言
阳离子掺杂 可以是Ag(少一个电子),In(多一个电子)等,

对TiO2而言
阴离子掺杂 可以是N

具体的多子/少子
最好看文献测试分析结果
毕竟物理是实验科学
理论分析
有时候只是 一相情愿
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10楼2012-01-08 10:48:19
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haodong1121

金虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★
无香名(金币+2):谢谢参与
nofrunolif(金币+3): 鼓励新虫交流 2012-01-13 12:48:30
用热探针测量法，热探针测量法是一种快速确定半导体是n是p的普通技术。一个热探针，一个冷探针，中间连一个毫安计。
对于p，热探针周围的实际结果是空穴的缺乏或净的负电荷聚集；对于n，热探针的周围正电荷聚集。因此，零位在中心的毫安计，对p和n有不同的偏转方向。
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11楼2012-01-13 12:27:23
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