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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » InGaZnO分数占据输入问题
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tequila2008

铜虫 (小有名气)

[求助] InGaZnO分数占据输入问题

Atom  #   OX   SITE      x           y           z           SOF      H
In   1  +3    3 a   0           0           0              1.         0   
Ga   1  +3    6 c   0           0           0.2171(1)      0.5        0   
Zn   1  +2    6 c   0           0           0.2171(1)      0.5        0   
O    1  -2    6 c   0           0           0.1282(1)      1.         0   
O    2  -2    6 c   0           0           0.2928(1)      1.         0   

InGaZnO4晶体结构建好后，需要输入InGaZnO4的各个原子所处位置，Ga和Zn的位置重合了，请问如何处理？因为输入的时候不能输入在同一坐标下。麻烦请详述如何处理。谢谢！
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1楼 2012-01-04 16:16:57
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bubuqiaqia

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
sunyang1988(金币+1): 谢谢交流 2012-01-06 18:39:41
木虫上有专门讲晶体虚拟的，不是在visulizer界面上，需要在cell文件中修改
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3390585
赞一下(1人) 回复此楼
8楼2012-01-06 15:39:35
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mazuju028

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang(金币+1): 多谢指教 2012-01-04 18:21:28
建立一个超胞，包含两个原胞，然后其中一个用Ga，一个用Zn
赞一下(1人) 回复此楼
锐气藏于胸，和气浮于脸，才气见于事，义气施与人
2楼2012-01-04 18:00:04
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tequila2008

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
楼: Originally posted by mazuju028 at 2012-01-04 18:00:04:
建立一个超胞，包含两个原胞，然后其中一个用Ga，一个用Zn

怎么建立两个原包啊？
赞一下 回复此楼
3楼2012-01-04 20:26:40
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tequila2008

铜虫 (小有名气)
不知如何是好啊
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4楼2012-01-05 13:56:57
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