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fangyongxinxi新虫 (正式写手)
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掺杂求高手指点：vasp 不同掺杂浓度模型设置。
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如题，例如自己的初始结构AB是体心立方结构，体心为A，八个角上为B。扩展成supercell 得到16个原子模型。现要用不同浓度的C替换A，问题来了： 1. 如果用3个C代替3个A，3个C的位置在8个A原子的位置中有不同的取法，如何确定该如何替换？ 自己的初步想法：如果把每种替换位置都算一遍，小体系是可行的，但supercell过大的时候就傻眼了，因为替换位置的组合太多了；考虑掺杂浓度，supercell必定非常大，所以每种替换位置都计算一遍不实际。自己的做法是建立一个大supercell, 比如64个原子，然后以不同浓度的C去代替A，取带位置自己的想法是让两个C尽量远离一点（这个方法纯粹自己瞎想出来的，没有任何理论支持，求高手指点）。 2. 什么结构最稳定之判据。 如果用3个C代替3个A，3个C的位置在8个A原子的位置中有不同的取法，如何判断哪个结构最稳定？或者说自己该取哪个结构进行下一步计算。 能量？受力？声子谱？或其他？ 自己的初步想法：能量是不可能的，自己尝试计算过，对于不同的掺杂位置，结构优化（ISIF=3）的结果能量是有差别，但没有可比性，因为不同替换位置优化的结果晶体的对称性会有的会出现不同（比如其中一个替换形式，优化后，体系不再是立方，而是斜方）。郁闷，不知道如何办了。 有一种可能的方法是在vasp优化的过程中，逐渐改变ISIF（小木虫的以前帖子有提到过），达到不同替换位置结构，收敛后的对称性都一样，再来比较能量，再取能量最低的进行下一步计算，这样行吗？ 更郁闷的问题出来了：如果按照上面的方法来找能量最低的构型，还会涉及到AB原子的站位问题，因为我们只考虑的C原子替换A原子，但A B 原子的不同站位同样会影响体系总体能量，如何处理？ 谢谢。 在线等解答 |
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