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todayandy123至尊木虫 (正式写手)
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charge carrier transport activation energy 是什么？
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文献中有一段是说“the charge carrier transport activation energy Ea = 11.2 meV is low compared to 100-200 meV obtained for bulk bismuth telluride for the same temperature range, poingting to shallow donor levels near the conduction band.” 文中只给出了电阻随温度变化的图。 请问这个charge carrier transport activation energy 11.2 是根据什么的出来的呢？计算公式是什么？ 还有为什么就此的出是 导带附近的浅掺杂呢？ 还忘专业人士指点！不胜感激！ |
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