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todayandy123

至尊木虫 (正式写手)

[求助] charge carrier transport activation energy 是什么?

文献中有一段是说“the charge carrier transport activation energy Ea = 11.2 meV is low compared to 100-200 meV obtained for bulk bismuth telluride for the same temperature range, poingting to shallow donor levels near the conduction band.”
文中只给出了电阻随温度变化的图。
请问这个charge carrier transport activation energy 11.2 是根据什么的出来的呢?计算公式是什么?
还有为什么就此的出是 导带附近的浅掺杂呢?
还忘专业人士指点!不胜感激!
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todayandy123

至尊木虫 (正式写手)

送鲜花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by bill_shark at 2011-12-20 18:48:40:
刚才写错了。。。做lnσ-1/T曲线,不是lnR-1/T....

太感谢了!
可是这个公式是出自哪里呢?或者是属于固体物理还是半导体物理之类的参考书?
9楼2011-12-20 23:12:36
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xiaoning001

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
当做正常女生对待即可
2楼2011-12-18 23:45:09
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todayandy123

至尊木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by xiaoning001 at 2011-12-18 23:45:09:
当做正常女生对待即可

啊??什么意思啊?
3楼2011-12-19 10:09:54
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annkk

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
字面上翻译是 低的载流子激发能量。说的是 对于浅的受主或者浅施主掺杂,载流子活性很容易被激发。我只是根据我自己的理解解答,没有查阅资料。具体的还得你查查资料看。
性格决定成败!
4楼2011-12-19 15:06:15
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