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todayandy123至尊木虫 (正式写手)
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charge carrier transport activation energy 是什么？
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文献中有一段是说“the charge carrier transport activation energy Ea = 11.2 meV is low compared to 100-200 meV obtained for bulk bismuth telluride for the same temperature range, poingting to shallow donor levels near the conduction band.” 文中只给出了电阻随温度变化的图。 请问这个charge carrier transport activation energy 11.2 是根据什么的出来的呢？计算公式是什么？ 还有为什么就此的出是 导带附近的浅掺杂呢？ 还忘专业人士指点！不胜感激！ |
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固体中原子的扩散系数D与温度T之间存在指数函数关系：D=Do exp(－Ea/kT)，其中Ea就是原子扩散的激活能。 对应到载流子的激活能也就是激活能越低扩散系数越大。载流子的扩散系数D由Einstein关系：D=(kT/q)μ，其中μ是载流子的迁移率，q是电子电荷。 由于载流子的扩散系数不同于杂质原子的扩散系数。载流子的扩散完全是在浓度梯度驱动下、在热运动基础之上的一种定向运动（从高浓度处往低浓度处运动），载流子的扩散系数的温度关系在很大程度上决定于载流子迁移率的温度关系。因此激活能越小，扩散系数越大，对应的迁移率也就越大。 半导体掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，同时少数载流子浓度也就越低，电离杂质中心散射载流子的几率也越大。所以半导体高掺杂降低了载流子迁移率，因此小的激活能对应于浅掺杂。 |
5楼2011-12-20 10:03:10
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